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MOSFETs MOSFETs de SiC

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Resultados: 161

Filtros aplicados:

Producto = MOSFETs

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Nombre comercial

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 117.79 1,149En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1,149En existencias	S/ 117.79 S/ 79.13	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	127 A	14 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	455 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial C3M0075120K-A Wolfspeed 1: S/ 37.02 670En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0075120K-A N.º de artículo de Mouser 941-C3M0075120K-A	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	670En existencias	S/ 37.02 S/ 18.41 S/ 17.52	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	32 A	90 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	53 nC	- 40 C	+ 175 C	136 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial C3M0040120J1 Wolfspeed 1: S/ 50.52 661En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0040120J1 N.º de artículo de Mouser 941-C3M0040120J1	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Hoja de datos	661En existencias	S/ 50.52 S/ 28.61 S/ 28.38 S/ 28.22 S/ 26.39	Min.: 1 Mult.: 1	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial C3M0045065J1 Wolfspeed 1: S/ 41.65 601En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0045065J1 N.º de artículo de Mouser 941-C3M0045065J1	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	601En existencias	S/ 41.65 S/ 23.12 S/ 22.03 S/ 21.91 S/ 20.47	Min.: 1 Mult.: 1	SMD/SMT		1 Channel	650 V	47 A	60 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	61 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 56.83 947En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	947En existencias	S/ 56.83 S/ 37.64 S/ 31.45 S/ 30.71	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	55 A	39 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 24.25 1,000En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R163M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,000En existencias	Cinta cortada S/ 24.25 S/ 12.81 S/ 9.46 S/ 9.42 Envase tipo carrete S/ 9.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 70.92 643En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R022M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	643En existencias	Cinta cortada S/ 70.92 S/ 43.79 S/ 42.58 Envase tipo carrete S/ 41.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 36.59 1,995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R057M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,995En existencias	Cinta cortada S/ 36.59 S/ 21.29 S/ 19.66 S/ 18.41 Envase tipo carrete S/ 17.52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC CDMS24740-170 SL PBFREE Central Semiconductor 1: S/ 153.95 17En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante CDMS24740-170 SL PBFREE N.º de artículo de Mouser 610-CDMS24740-170SL Nuevo producto	Central Semiconductor	MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC Obtenga más información sobre Central Semiconductor central semi 1700v n channel sic mosfets	Hoja de datos	17En existencias	S/ 153.95 S/ 125.96 S/ 111.29 Ver Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	26 A	40 mOhms	20 V	2.4 V		- 55 C	+ 175 C	28 W	Depletion
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: S/ 247.41 1,642En existencias	N.º de artículo del Fabricante G3R12MT12K N.º de artículo de Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET Obtenga más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1,642En existencias	S/ 247.41 S/ 237.44 S/ 207.70	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial C3M0040120J1-TR Wolfspeed 1: S/ 50.52 404En existencias	N.º de artículo del Fabricante C3M0040120J1-TR N.º de artículo de Mouser 941-C3M0040120J1TR	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 650v sic mosfets	Hoja de datos	404En existencias	Cinta cortada S/ 50.52 S/ 28.61 S/ 28.26 S/ 26.39 Envase tipo carrete S/ 26.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 39.47 1,019En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R048M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,019En existencias	Cinta cortada S/ 39.47 S/ 21.84 S/ 20.47 S/ 20.16 Envase tipo carrete S/ 19.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 28.92 861En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R072M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	861En existencias	Cinta cortada S/ 28.92 S/ 18.18 S/ 16.66 S/ 15.69 Envase tipo carrete S/ 15.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 26.24 753En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R107M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	753En existencias	Cinta cortada S/ 26.24 S/ 15.38 S/ 14.01 S/ 13.20 Envase tipo carrete S/ 12.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: S/ 39.55 1,737En existencias	N.º de artículo del Fabricante G3R450MT17D N.º de artículo de Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET Obtenga más información sobre GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Hoja de datos	1,737En existencias	S/ 39.55 S/ 22.58 S/ 20.86 S/ 17.87 Ver S/ 17.79 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC SCT4018KWATL ROHM Semiconductor 1: S/ 108.60 994En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SCT4018KWATL N.º de artículo de Mouser 755-SCT4018KWATL Nuevo producto	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct40xkwa power mosfets	Hoja de datos	994En existencias	Cinta cortada S/ 108.60 S/ 75.44 Envase tipo carrete S/ 71.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	75 A	23.4 mOhms	- 4 V, + 21 V	4.8 V	170 nC		+ 175 C		Enhancement
MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L GP3T020A120H SemiQ 1: S/ 48.97 391En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante GP3T020A120H N.º de artículo de Mouser 148-GP3T020A120H Nuevo producto	SemiQ	MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L Obtenga más información sobre SemiQ gen3 1200v sic mosfets	Hoja de datos	391En existencias	S/ 48.97 S/ 29.39 S/ 29.35 S/ 25.30	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	280 A	25 mOhms	- 4.5 V, + 18 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: S/ 23.08 2,442En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante C3M0900170J-TR N.º de artículo de Mouser 941-C3M0900170J-TR Nuevo producto	Wolfspeed	MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial Obtenga más información sobre Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Hoja de datos	2,442En existencias	Cinta cortada S/ 23.08 S/ 13.04 S/ 11.29 S/ 9.38 Envase tipo carrete S/ 8.56 S/ 7.12	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 57.03 1,690En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R026M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R026M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1,690En existencias	Cinta cortada S/ 57.03 S/ 33.05 S/ 32.42 Envase tipo carrete S/ 30.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 48.31 1,011En existencias 750Se espera el 5/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R034M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R034M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	1,011En existencias 750Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada S/ 48.31 S/ 34.95 S/ 29.12 S/ 25.96 Envase tipo carrete S/ 24.25	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 44.92 911En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R040M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R040M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	911En existencias	Cinta cortada S/ 44.92 S/ 25.15 S/ 24.21 S/ 22.62 Envase tipo carrete S/ 22.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 37.72 316En existencias 750Se espera el 5/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R053M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R053M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	316En existencias 750Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada S/ 37.72 S/ 20.75 S/ 19.27 S/ 17.98 Envase tipo carrete S/ 17.98	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 33.13 2,169En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMCQ120R078M2HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMCQ120R078M2HXT Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	2,169En existencias	Cinta cortada S/ 33.13 S/ 17.98 S/ 16.50 S/ 16.15 Envase tipo carrete S/ 15.14	Min.: 1 Mult.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 74.07 267En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R022M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R022M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	267En existencias	S/ 74.07 S/ 56.44 S/ 47.02 S/ 41.88 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 48.42 238En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	238En existencias	S/ 48.42 S/ 35.03 S/ 29.19 S/ 25.96 S/ 24.29	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	48 A	51 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC