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TO-3P-3 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

IXTQ30N60L2
IXYS
1: S/92.72
305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ30N60L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ30N60L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V

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Hoja de datos

305En existencias

S/92.72

S/69.09

S/57.03

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFQ94N30P3
IXYS
1: S/61.19
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ94N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ94N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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Hoja de datos

166En existencias

S/61.19

S/37.45

S/35.07

S/34.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

IXTQ22N50P
IXYS
1: S/30.63
654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ22N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ22N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

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654En existencias

S/30.63

S/18.57

S/15.57

S/14.87

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

IXTQ10P50P
IXYS
1: S/39.86
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ10P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ10P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

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483En existencias

S/39.86

S/23.51

S/19.89

S/19.62

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

SCR 50 Amp 200 Volt

BTW69-200RG
STMicroelectronics
1: S/28.10
892En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BTW69-200RG

N.º de artículo de Mouser
511-BTW69-200

STMicroelectronics

SCR 50 Amp 200 Volt

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Hoja de datos

892En existencias

S/28.10

S/16.11

S/11.56

S/10.16

Min.: 1
Mult.: 1

SCRs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

IXTQ69N30P
IXYS
1: S/51.26
258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ69N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ69N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds

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Hoja de datos

258En existencias

S/51.26

S/33.24

S/30.44

S/29.78

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

IXTQ82N25P
IXYS
1: S/47.18
291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ82N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ82N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds

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291En existencias

S/47.18

S/28.22

S/24.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

SCR 30 Amp 800 Volt

BTW68-800RG
STMicroelectronics
1: S/24.64
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BTW68-800RG

N.º de artículo de Mouser
511-BTW68-800

STMicroelectronics

SCR 30 Amp 800 Volt

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793En existencias

S/24.64

S/11.76

S/9.65

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

SCRs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds

IXTQ36N50P
IXYS
1: S/59.28
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds

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Hoja de datos

178En existencias

S/59.28

S/36.16

S/32.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

IGBTs 340 Amps 330V

IXGQ85N33PCD1
IXYS
1: S/41.07
286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGQ85N33PCD1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGQ85N33PCD1

IXYS

IGBTs 340 Amps 330V

Hoja de datos

286En existencias

S/41.07

S/24.29

S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds

IXTQ44N50P
IXYS
1: S/62.94
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ44N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ44N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds

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94En existencias

S/62.94

S/47.96

S/35.19

S/33.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
1: S/13.58
784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWT40HP65FB

N.º de artículo de Mouser
511-STGWT40HP65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

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784En existencias

S/13.58

S/7.40

S/5.06

S/4.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

IXTQ76N25T
IXYS
1: S/34.68
248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ76N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ76N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds

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248En existencias

S/34.68

S/20.24

S/17.01

S/16.35

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS

IXFQ8N85X
IXYS
1: S/33.51
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ8N85X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ8N85X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS

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263En existencias

S/33.51

S/23.63

S/17.01

S/16.15

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64 Amps 250V 0.049 Rds

IXTQ64N25P
IXYS
1: S/38.19
292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ64N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ64N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64 Amps 250V 0.049 Rds

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292En existencias

S/38.19

S/26.08

S/19.70

S/19.00

S/18.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds

IXTQ42N25P
IXYS
1: S/29.12
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ42N25P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ42N25P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 250V 0.084 Rds

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Hoja de datos

287En existencias

S/29.12

S/16.74

S/13.97

S/12.96

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

IXTQ50N25T
IXYS
1: S/35.62
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ50N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ50N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50Amps 250V

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257En existencias

S/35.62

S/20.82

S/17.52

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds

IXTQ52N30P
IXYS
1: S/37.91
268En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds

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Hoja de datos

268En existencias

S/37.91

S/24.09

S/18.57

S/18.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

IXTQ130N10T
IXYS
1: S/29.31
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ130N10T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ130N10T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds

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Hoja de datos

224En existencias

S/29.31

S/16.85

S/13.86

S/13.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFQ26N50P3
IXYS
1: S/39.63
286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ26N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ26N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

286En existencias

S/39.63

S/27.05

S/20.44

S/19.70

S/18.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Rectificadores 80ns 30A 600V High E ff Recovery Rect

HER3006PT C0
Taiwan Semiconductor
1: S/13.90
1,137En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
HER3006PT C0

N.º de artículo de Mouser
821-HER3006PTC0

Verificar estado con la fábrica

Taiwan Semiconductor

Rectificadores 80ns 30A 600V High E ff Recovery Rect

Hoja de datos

1,137En existencias

S/13.90

S/9.03

S/6.34

S/5.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Rectifiers

Through Hole

TO-3P-3

SCR 30 Amp 1200 Volt

BTW68-1200RG
STMicroelectronics
1: S/25.89
1,078En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BTW68-1200RG

N.º de artículo de Mouser
511-BTW68-1200

STMicroelectronics

SCR 30 Amp 1200 Volt

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Hoja de datos

1,078En existencias

S/25.89

S/14.75

S/12.30

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

SCRs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

IXFQ20N50P3
IXYS
1: S/31.65
901En existencias
960Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ20N50P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ20N50P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

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Hoja de datos

901En existencias

960Se espera el 27/07/2026

S/31.65

S/17.63

S/15.34

S/14.48

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds

IXTQ170N10P
IXYS
1: S/58.50
1,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds

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Hoja de datos

1,020En existencias

S/58.50

S/35.66

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

IXTQ26P20P
IXYS
1: S/41.26
380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ26P20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ26P20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds

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Hoja de datos

380En existencias

S/41.26

S/28.18

S/23.20

S/19.62

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

TO-3P-3 Semiconductores discretos

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