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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,428En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -29A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,237En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 1,388En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,180En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET 2,490En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A 2,380En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,184En existencias
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Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,488En existencias
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Texas Instruments Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low 2,426En existencias
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: 2,500

Texas Instruments Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low 2,479En existencias
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Máx.: 1,001
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Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K 2,495En existencias
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Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K 2,229En existencias
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Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K 2,500En existencias
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Bourns Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252 4,945En existencias
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Bourns Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY 4,965En existencias
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ROHM Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive 4,583En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET 2,415En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET 4,936En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET 3,457En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,272En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,480En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 2,467En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET 3,796En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive 2,705En existencias
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ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe 4,797En existencias
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