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TO-247-3 Semiconductores

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S NTHL023N065M3S onsemi 1: S/48.50 3,373En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTHL023N065M3S N.º de artículo de Mouser 863-NTHL023N065M3S	onsemi	MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S Obtenga más información sobre onsemi on semiconductor 650v mosfets	Hoja de datos	3,373En existencias	S/48.50 S/31.37 S/29.12 S/25.50	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 450
SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248 VS-70TPS16-M3 Vishay Semiconductors 1: S/60.41 940En existencias	N.º de artículo del Fabricante VS-70TPS16-M3 N.º de artículo de Mouser 78-VS-70TPS16-M3	Vishay Semiconductors	SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248	Hoja de datos	940En existencias	S/60.41 S/46.01 S/38.30 S/34.14 S/32.35	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET STWA60N028T STMicroelectronics 1: S/27.52 291En existencias 1,200Se espera el 29/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante STWA60N028T N.º de artículo de Mouser 511-STWA60N028T Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET	Hoja de datos	291En existencias 1,200Se espera el 29/01/2027	S/27.52 S/18.41 S/15.10 S/12.81 S/11.64	Min.: 1 Mult.: 1
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V NTHL075N065SC1 onsemi 1: S/34.37 639En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTHL075N065SC1 N.º de artículo de Mouser 863-NTHL075N065SC1	onsemi	MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V Obtenga más información sobre onsemi nthl075n065sc1 mosfets	Hoja de datos	639En existencias	S/34.37 S/22.77 S/21.02 S/20.86	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V FCH060N80-F155 onsemi 1: S/72.40 1,472En existencias	N.º de artículo del Fabricante FCH060N80-F155 N.º de artículo de Mouser 512-FCH060N80_F155	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V Obtenga más información sobre onsemi fairchildsuperfetII	Hoja de datos	1,472En existencias	S/72.40 S/47.61	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs TO268 2500V 2A IGBT IXBT2N250 IXYS 1: S/123.74 1,050En existencias 30Se espera el 26/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IXBT2N250 N.º de artículo de Mouser 747-IXBT2N250	IXYS	IGBTs TO268 2500V 2A IGBT Obtenga más información sobre IXYS 2500v 3600v bimosfet igbts	Hoja de datos	1,050En existencias 30Se espera el 26/10/2026	S/123.74 S/84.16	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM NTHL050N65S3HF onsemi 1: S/62.36 1,905En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTHL050N65S3HF N.º de artículo de Mouser 863-NTHL050N65S3HF	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM Obtenga más información sobre onsemi on semi superfet 3	Hoja de datos	1,905En existencias	S/62.36 S/39.86	Min.: 1 Mult.: 1
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V NVHL160N120SC1 onsemi 1: S/52.74 2,390En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVHL160N120SC1 N.º de artículo de Mouser 863-NVHL160N120SC1	onsemi	MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V Obtenga más información sobre onsemi 1200v sic mosfets	Hoja de datos	2,390En existencias	S/52.74 S/29.39 S/28.26	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package IKQ100N120CS7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/50.06 1,097En existencias	N.º de artículo del Fabricante IKQ100N120CS7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IKQ100N120CS7XKS	Infineon Technologies	IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon trenchstop igbt7 s7	Hoja de datos	1,097En existencias	S/50.06 S/30.13 S/26.39	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260MPBF Infineon Technologies 1: S/15.41 23,117En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260MPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	23,117En existencias	S/15.41 S/7.82 S/6.54 S/5.53 S/5.49	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS FDH44N50 onsemi 1: S/40.56 6,534En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDH44N50 N.º de artículo de Mouser 512-FDH44N50	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS	Hoja de datos	6,534En existencias	S/40.56 S/26.82 S/23.67	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 450
Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier MBR6045WT Littelfuse 1: S/21.91 11,473En existencias	N.º de artículo del Fabricante MBR6045WT N.º de artículo de Mouser 576-MBR6045WT	Littelfuse	Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier Obtenga más información sobre Littelfuse mbr rectifiers	Hoja de datos	11,473En existencias	S/21.91 S/11.64 S/11.02	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD IXBH20N300 IXYS 1: S/292.09 281En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXBH20N300 N.º de artículo de Mouser 747-IXBH20N300	IXYS	IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD Obtenga más información sobre IXYS 2500v 3600v bimosfet igbts	Hoja de datos	281En existencias	S/292.09	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL AFGHL40T65SQD onsemi 1: S/27.99 6,446En existencias	N.º de artículo del Fabricante AFGHL40T65SQD N.º de artículo de Mouser 863-AFGHL40T65SQD	onsemi	IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL Obtenga más información sobre onsemi on semi afghl40t65sqd afghl50t65sqd igbts	Hoja de datos	6,446En existencias	S/27.99 S/16.11 S/13.47 S/13.39	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V NTHL110N65S3F onsemi 1: S/35.19 9,463En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTHL110N65S3F N.º de artículo de Mouser 863-NTHL110N65S3F	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V Obtenga más información sobre onsemi on semi superfet 3	Hoja de datos	9,463En existencias	S/35.19 S/19.00 S/18.92	Min.: 1 Mult.: 1
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC VS-3C20CP07L-M3 Vishay Semiconductors 1: S/24.21 512En existencias	N.º de artículo del Fabricante VS-3C20CP07L-M3 N.º de artículo de Mouser 78-VS-3C20CP07L-M3	Vishay Semiconductors	Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay semi 650v merged pin schottky diodes	Hoja de datos	512En existencias	S/24.21 S/15.61 S/13.12 S/12.57	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds IXTH44P15T IXYS 1: S/42.08 2,948En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH44P15T N.º de artículo de Mouser 747-IXTH44P15T	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds Obtenga más información sobre IXYS littelfuse commercial tactical uav systems	Hoja de datos	2,948En existencias	S/42.08 S/22.89 S/21.14 S/20.82	Min.: 1 Mult.: 1
MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor 1: S/93.11 1,034En existencias	N.º de artículo del Fabricante SCT3080KLGC11 N.º de artículo de Mouser 755-SCT3080KLGC11	ROHM Semiconductor	MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS Obtenga más información sobre ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets	Hoja de datos	1,034En existencias	S/93.11 S/57.92	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247 NTHL019N65S3H onsemi 1: S/106.03 826En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTHL019N65S3H N.º de artículo de Mouser 863-NTHL019N65S3H	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247 Obtenga más información sobre onsemi on semi superfet 3	Hoja de datos	826En existencias	S/106.03 S/78.43	Min.: 1 Mult.: 1
Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 BSDW20G120C2 Bourns 1: S/21.45 2,918En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSDW20G120C2 N.º de artículo de Mouser 652-BSDW20G120C2	Bourns	Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 Obtenga más información sobre Bourns bsd sic schottky barrier diodes	Hoja de datos	2,918En existencias	S/21.45	Min.: 1 Mult.: 1
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC VS-3C16CP07L-M3 Vishay Semiconductors 1: S/20.75 886En existencias	N.º de artículo del Fabricante VS-3C16CP07L-M3 N.º de artículo de Mouser 78-VS-3C16CP07L-M3	Vishay Semiconductors	Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay semi 650v merged pin schottky diodes	Hoja de datos	886En existencias	S/20.75 S/15.80 S/10.47	Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet FCH072N60F onsemi 1: S/43.25 7,650En existencias	N.º de artículo del Fabricante FCH072N60F N.º de artículo de Mouser 512-FCH072N60F	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet	Hoja de datos	7,650En existencias	S/43.25 S/23.71 S/22.97	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 450
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET IXFX64N60P IXYS 1: S/108.64 1,138En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXFX64N60P N.º de artículo de Mouser 747-IXFX64N60P	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Obtenga más información sobre IXYS 900v hiperfet	Hoja de datos	1,138En existencias	S/108.64 S/70.57	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs TO247 1200V 85A XPT IXYH85N120A4 IXYS 1: S/88.05 1,352En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXYH85N120A4 N.º de artículo de Mouser 747-IXYH85N120A4	IXYS	IGBTs TO247 1200V 85A XPT Obtenga más información sobre IXYS ixyxn120a4 xpt genx4 igbts	Hoja de datos	1,352En existencias	S/88.05 S/55.66 S/54.69	Min.: 1 Mult.: 1
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 IXYX110N120B4 IXYS 1: S/72.48 1,403En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXYX110N120B4 N.º de artículo de Mouser 747-IXYX110N120B4	IXYS	IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247	Hoja de datos	1,403En existencias	S/72.48	Min.: 1 Mult.: 1