MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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1,038En existencias
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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272En existencias
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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12En existencias
810En pedido
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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293En existencias
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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675En existencias
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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431En existencias
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
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: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Min.: 2,000
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Min.: 2,000
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: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel