MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 1,200En existencias
Cinta cortada
S/ 25.46
S/ 13.94
S/ 12.73
Envase tipo carrete
S/ 11.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 97 mOhms 25 V 4.75 V 52.6 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package 503En existencias
S/ 62.24
S/ 46.48
S/ 40.29
S/ 34.02
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 36 mOhms 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 172En existencias
Cinta cortada
S/ 79.41
S/ 50.64
S/ 47.92
Envase tipo carrete
S/ 47.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 200
Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package 2,358En existencias
Cinta cortada
S/ 11.48
S/ 5.84
S/ 5.10
S/ 4.16
S/ 3.84
Envase tipo carrete
S/ 3.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms 25 V 4.75 V 17 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H 1,429En existencias
Cinta cortada
S/ 27.64
S/ 18.49
S/ 15.76
S/ 13.23
S/ 11.83
Envase tipo carrete
S/ 11.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 600 V 45 A 84 mOhms 25 V 4.75 V 52 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 384En existencias
S/ 62.44
S/ 46.55
S/ 39.66
S/ 35.50
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 36 mOhms 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag 798En existencias
S/ 30.32
S/ 18.80
S/ 16.31
S/ 14.48
S/ 12.96
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag 305En existencias
S/ 34.84
S/ 18.61
S/ 17.13
S/ 16.39
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 99 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET 45En existencias
Cinta cortada
S/ 71.78
S/ 47.80
S/ 36.67
Envase tipo carrete
S/ 36.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 200
Si N-Channel 650 V 32 A 89 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 7En existencias
S/ 55.47
S/ 32.66
S/ 30.36
S/ 28.42
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 39 mOhms 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
999En pedido
Cinta cortada
S/ 29.89
S/ 17.56
S/ 15.26
S/ 14.67
Envase tipo carrete
S/ 12.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1,943Se espera el 5/03/2027
Cinta cortada
S/ 29.31
S/ 15.84
S/ 14.48
S/ 13.70
Envase tipo carrete
S/ 12.22
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 38 A 71 mOhms 25 V 3 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
1,000Se espera el 5/11/2026
Cinta cortada
S/ 33.05
S/ 17.91
S/ 16.43
S/ 15.92
Envase tipo carrete
S/ 13.82
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms 25 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
2,384Se espera el 3/09/2027
Cinta cortada
S/ 11.68
S/ 5.80
S/ 5.22
S/ 4.20
S/ 4.09
Envase tipo carrete
S/ 3.76
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 338 mOhms 25 V 4.75 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 11En existencias
S/ 30.91
S/ 16.78
S/ 15.38
S/ 13.12
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole I2PAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 10.70
Min.: 600
Mult.: 600
: 600
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 99 mOhms 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement AEC-Q101 Reel


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Cinta cortada
S/ 26.43
S/ 17.98
S/ 14.71
Envase tipo carrete
S/ 13.39
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 Ohms 25 V 4.75 V 55 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 13.74
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 115 mOhms 25 V 4.75 V 46 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel