600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

Resultados: 18
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,920En existencias
Cinta cortada
S/ 5.80
S/ 3.16
S/ 2.64
S/ 2.13
S/ 1.93
Envase tipo carrete
S/ 1.74
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 400 mOhms 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 112 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 7,480En existencias
Cinta cortada
S/ 4.05
S/ 1.86
S/ 1.65
S/ 1.27
Envase tipo carrete
S/ 0.934
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 61 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,411En existencias
S/ 7.90
S/ 3.54
S/ 3.18
S/ 2.66
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 32,658En existencias
Cinta cortada
S/ 4.09
S/ 1.88
S/ 1.66
S/ 1.28
Envase tipo carrete
S/ 1.01
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,742En existencias
Cinta cortada
S/ 3.97
S/ 1.82
S/ 1.61
S/ 1.24
Envase tipo carrete
S/ 0.965
S/ 0.849
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.8 A 2.34 Ohms 20 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,918En existencias
S/ 3.89
S/ 1.66
S/ 1.47
S/ 1.20
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.5 Ohms 20 V 3 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 49 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,098En existencias
Cinta cortada
S/ 6.31
S/ 2.97
S/ 2.64
S/ 2.28
Envase tipo carrete
S/ 1.58
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,351En existencias
S/ 8.21
S/ 4.32
S/ 3.38
S/ 2.68
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,509En existencias
17,500En pedido
Cinta cortada
S/ 6.38
S/ 3.55
S/ 2.61
S/ 2.05
S/ 1.88
Envase tipo carrete
S/ 1.46
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,603En existencias
Cinta cortada
S/ 3.85
S/ 1.76
S/ 1.56
S/ 1.20
Envase tipo carrete
S/ 0.93
S/ 0.817
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3 75En existencias
S/ 6.89
S/ 3.28
S/ 2.93
S/ 2.30
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 650 mOhms 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 551En existencias
S/ 7.79
S/ 3.73
S/ 3.41
S/ 2.70
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 940 mOhms 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,338En existencias
5,000Se espera el 7/01/2027
Cinta cortada
S/ 4.13
S/ 1.89
S/ 1.67
S/ 1.28
Envase tipo carrete
S/ 1.02
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.5 Ohms 20 V 3 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 49 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,462En existencias
Cinta cortada
S/ 5.57
S/ 2.60
S/ 2.31
S/ 1.80
Envase tipo carrete
S/ 1.37
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.9 A 540 mOhms 20 V 2.5 V 20.5 nC - 40 C + 150 C 82 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 2,352En existencias
12,500En pedido
Cinta cortada
S/ 6.38
S/ 3.02
S/ 2.69
S/ 2.11
Envase tipo carrete
S/ 1.72
S/ 1.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 15.1 A 400 mOhms 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 118 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,722En existencias
Cinta cortada
S/ 3.62
S/ 2.20
S/ 1.55
S/ 1.11
S/ 1.01
Envase tipo carrete
S/ 0.775
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 3.51 Ohms 20 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C 5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12,477Se espera el 20/05/2027
Cinta cortada
S/ 4.59
S/ 2.44
S/ 1.86
S/ 1.53
S/ 1.45
Envase tipo carrete
S/ 1.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
461Se espera el 17/12/2026
S/ 8.33
S/ 4.36
S/ 3.24
S/ 2.51
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14.7 A 890 mOhms 20 V 3 V 32 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube