Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 4

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 IPB107N20NAXT Infineon Technologies 1: S/ 41.18 3,834En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20NAXT N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20NAATMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,834En existencias	Cinta cortada S/ 41.18 S/ 29.12 S/ 24.25 S/ 21.60 Envase tipo carrete S/ 20.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB320N20N3 G Infineon Technologies 1: S/ 15.96 5,542En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB320N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB320N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	5,542En existencias	Cinta cortada S/ 15.96 S/ 10.43 S/ 7.59 S/ 6.62 Envase tipo carrete S/ 5.57 S/ 5.49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	34 A	28 mOhms	20 V	2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB107N20N3 G Infineon Technologies 1: S/ 26.78 1,815En existencias 4,000Se espera el 24/06/2027	N.º de artículo del Fabricante IPB107N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB107N20N3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1,815En existencias 4,000Se espera el 24/06/2027	Cinta cortada S/ 26.78 S/ 17.94 S/ 14.40 S/ 12.81 Envase tipo carrete S/ 11.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.6 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 IPP110N20N3 G Infineon Technologies 1: S/ 23.47 1,790En existencias 1,000Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPP110N20N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPP110N20N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1,790En existencias 1,000Se espera el 22/10/2026	S/ 23.47 S/ 15.38 S/ 11.48 S/ 9.58 Ver S/ 8.41 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	88 A	9.9 mOhms	20 V	2 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Tube