NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi
863-NTMFWS1D5N08XT1G
NTMFWS1D5N08XT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO8FL-8
N-Channel
1 Channel
80 V
253 A
1.43 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 176 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Serie: NTMFWS1D5N08X
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 24 ns
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
Malasia
País de difusión:
Japón
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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En pedido:
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Se espera el 1/01/2027
9,000
1,500
Se espera el 13/01/2027
7,500
A determinar
Plazo de entrega de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 470
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S/-.--
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Cantidad Precio unitario
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S/10.74 S/107.40
S/8.02 S/802.00
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