Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 32.31 4,762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT017N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	4,762En existencias	Cinta cortada S/ 32.31 S/ 22.73 S/ 18.41 S/ 16.35 S/ 15.49 Envase tipo carrete S/ 14.48 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	2.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 18.61 10,522En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	10,522En existencias	Cinta cortada S/ 18.61 S/ 9.65 S/ 8.76 S/ 7.55 Ver Envase tipo carrete S/ 6.62 S/ 7.28 S/ 7.01 S/ 6.62	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8FL	N-Channel	1 Channel	120 V	163 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP022N12NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 32.11 1,309En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP022N12NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP022N12NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,309En existencias	S/ 32.11 S/ 17.87 S/ 16.43 S/ 14.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	120 V	203 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 33.55 1,488En existencias 12,600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	1,488En existencias 12,600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC017N12NM6ATMA1 Existencias: 1,488 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 5,400 Se espera el 12/11/2026 7,200 Se espera el 19/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 33.55 S/ 18.26 S/ 16.78 S/ 16.50 S/ 15.61 Envase tipo carrete S/ 15.61	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC032N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 19.77 2,721En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC032N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC032N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	2,721En existencias	Cinta cortada S/ 19.77 S/ 10.24 S/ 9.30 S/ 8.80 S/ 8.33 Envase tipo carrete S/ 7.67	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	170 A	9 mOhms	20 V	1.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC073N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.23 6,281En existencias 10,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC073N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC073N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	6,281En existencias 10,000En pedido	Cinta cortada S/ 13.23 S/ 6.62 S/ 5.99 S/ 4.87 S/ 4.79 Envase tipo carrete S/ 4.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	86 A	7.3 mOhms	20 V	2.2 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC078N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.04 4,105En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC078N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC078N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,105En existencias	Cinta cortada S/ 13.04 S/ 6.50 S/ 5.88 S/ 4.79 Ver Envase tipo carrete S/ 4.36 S/ 4.71 S/ 4.52 S/ 4.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	85 A	7.8 mOhms	20 V	3.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC104N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.12 12,445En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC104N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC104N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	12,445En existencias	Cinta cortada S/ 10.12 S/ 4.98 S/ 4.32 S/ 3.57 Ver Envase tipo carrete S/ 2.85 S/ 3.41 S/ 3.16 S/ 2.85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	63 A	10.4 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC110N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.58 4,306En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC110N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC110N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	4,306En existencias	Cinta cortada S/ 9.58 S/ 4.67 S/ 4.20 S/ 3.34 Ver Envase tipo carrete S/ 2.86 S/ 3.23 S/ 3.14 S/ 2.86	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SuperSO-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	11 mOhms	20 V	3.1 V	15.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPB022N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 33.51 332En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB022N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB022N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	332En existencias	Cinta cortada S/ 33.51 S/ 22.81 S/ 16.74 S/ 16.58 Envase tipo carrete S/ 15.38	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	120 V	167 A	2.5 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC026N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 29.66 14En existencias 3,600Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPTC026N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC026N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	14En existencias 3,600Se espera el 5/11/2026	Cinta cortada S/ 29.66 S/ 18.49 S/ 15.14 S/ 13.86 S/ 12.57 Envase tipo carrete S/ 12.57 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	120 V	222 A	2.6 mOhms	20 V	3.1 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC320N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.16 10,044En existencias 10,000Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISC320N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC320N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	10,044En existencias 10,000Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada S/ 7.16 S/ 3.41 S/ 2.88 S/ 2.37 Ver Envase tipo carrete S/ 1.92 S/ 2.14 S/ 1.99 S/ 1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	15.1 mOhms	20 V	3.7 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 27.87 14,996En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	14,996En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC030N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5,000 Se espera el 23/11/2026 9,996 Se espera el 23/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 27.87 S/ 14.79 S/ 12.49 S/ 11.41 Ver Envase tipo carrete S/ 9.15 S/ 10.98 S/ 10.82 S/ 9.15	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	194 A	3.7 mOhms	20 V	3.6 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ106N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.86 69,820Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante ISZ106N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ106N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	69,820Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada S/ 7.86 S/ 3.77 S/ 3.37 S/ 2.67 S/ 2.58 Envase tipo carrete S/ 2.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	62 A	10.6 mOhms	20 V	2.2 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG017N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 29.89 3,570En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTG017N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG017N12NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3,570En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTG017N12NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,770 Se espera el 5/11/2026 1,800 Se espera el 12/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 17 Semanas	Cinta cortada S/ 29.89 S/ 20.01 S/ 16.08 S/ 14.32 S/ 12.65 Envase tipo carrete S/ 12.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	120 V	331 A	1.7 mOhms	20 V	3.1 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.07 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante ISZ330N12LM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ330N12LM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada S/ 6.07 S/ 3.29 S/ 2.46 S/ 1.99 S/ 1.85 Envase tipo carrete S/ 1.43	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	120 V	24 A	33 mOhms	20 V	2.2 V	3.6 nC	- 55 C	+ 175 C	43 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1 IPB133N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/ 4.79 Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB133N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB133N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas	Envase tipo carrete S/ 4.79 S/ 4.67	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si																Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1 IPB035N12NM6ATMA1 Infineon Technologies 1,000: S/ 10.39 Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPB035N12NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB035N12NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas	Envase tipo carrete S/ 10.39 S/ 10.12	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	120 V	138 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement		Reel

Filtros aplicados:

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