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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL 1,099En existencias
1,500Se espera el 23/09/2026
Cinta cortada
S/18.84
S/9.73
S/8.84
S/7.63
S/7.20
Envase tipo carrete
S/7.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL 5,620En existencias
Cinta cortada
S/9.58
S/4.67
S/4.20
S/3.35
S/2.87
Envase tipo carrete
S/2.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Cinta cortada
S/14.67
S/8.33
S/7.16
S/5.57
S/4.98
Envase tipo carrete
S/4.98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel