Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4-C2B
CEL
1:
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551-CA3509M4-C2B
CEL
Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
CE7613M4-C2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2-C1
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6,059 En existencias
10,000 Se espera el 25/12/2026
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551-CE3512K2-C1
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
6,059 En existencias
10,000 Se espera el 25/12/2026
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S/6.62
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S/4.44
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4-C2
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15,000 Se espera el 14/08/2026
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
15,000 Se espera el 14/08/2026
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S/5.02
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
CE3520K3-C1
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5,692 En existencias
10,000 Se espera el 29/07/2026
N.º de artículo de Mouser
551-CE3520K3-C1
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
5,692 En existencias
10,000 Se espera el 29/07/2026
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S/9.03
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
CA3509M4
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239 En existencias
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551-CA3509M4
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Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
CE3512K2
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949 En existencias
4,000 Se espera el 14/08/2026
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551-CE3512K2
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
949 En existencias
4,000 Se espera el 14/08/2026
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
CE3514M4
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108 En existencias
3,000 Se espera el 14/08/2026
N.º de artículo de Mouser
551-CE3514M4
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
108 En existencias
3,000 Se espera el 14/08/2026
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
CE3521M4-C2
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15,000:
S/3.89
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
N.º de artículo de Mouser
551-CE3521M4-C2
CEL
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
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Carrete :
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