Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Infineon Technologies
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Mult.: 1

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SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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S/5.06

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Mult.: 1

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SMD/SMT

WTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

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BSC022N04LS6ATMA1
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113,463En existencias
95,000Se espera el 4/03/2027

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S/1.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 7,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
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27,072En existencias
10,000Se espera el 6/10/2026

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S/3.93

S/3.11

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ024N04LS6ATMA1
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5,505En existencias
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S/3.64

S/3.25

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

20 V

1.3 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC059N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.93
4,207En existencias
50,000En pedido

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726-BSC059N04LS6ATMA

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S/1.60

S/1.23

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S/0.891

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

5.9 mOhms

20 V

1.3 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.96
39,863En pedido

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BSC007N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA

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Cinta cortada

S/12.96

S/7.79

S/6.03

S/5.06

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
168,348En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

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Cinta cortada

S/4.83

S/2.60

S/1.99

S/1.62

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ021N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
14,976Se espera el 2/09/2027

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BSZ021N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ021N04LS6ATMA

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S/7.94

S/3.82

S/3.42

S/2.71

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Envase tipo carrete

S/2.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.4 mOhms

20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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