DXTN/P 78Q & 80Q Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q and 80Q Bipolar Transistors offer 30V, 60V, and 100V ratings, deliver exceptional conduction efficiency and thermal performance for demanding automotive power switching and control. The ultra-low VCE(SAT) NPN and PNP bipolar transistors are ideal for 12V, 24V, and 48V systems, supporting applications such as MOSFET and IGBT gate driving, load switching, LDO regulation, DC-DC conversion, and motor/actuator control.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Tensión VCBO colector-base Voltaje VEBO emisor-base Voltaje de saturación colector-emisor Dp - Disipación de potencia Producto para ganar Ancho de banda fT Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Calificación Serie Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,319En existencias
5,499Se espera el 9/04/2027
Cinta cortada
S/4.48
S/2.41
S/1.81
S/1.34
Envase tipo carrete
S/1.34
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 869
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 130 mV 2.4 W 190 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,666En existencias
Cinta cortada
S/1.99
S/1.24
S/1.00
Envase tipo carrete
S/1.00
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 366
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,127En existencias
Cinta cortada
S/1.99
S/1.24
S/1.00
Envase tipo carrete
S/1.00
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 312
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 290 mV 2.4 W 180 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 133En existencias
Cinta cortada
S/4.67
S/2.91
S/1.90
S/1.39
S/1.20
Envase tipo carrete
S/0.996
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 165 mV 2.4 W 290 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,970En existencias
Cinta cortada
S/4.98
S/1.94
S/1.71
S/1.61
S/1.47
Envase tipo carrete
S/1.08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 140 mV 2.4 W 260 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,672En existencias
Cinta cortada
S/1.91
S/1.19
S/0.958
S/0.911
S/0.876
Envase tipo carrete
S/0.825
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 135 mV 2.4 W 250 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,201En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/1.94
S/1.71
S/1.57
S/1.32
Envase tipo carrete
S/1.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 210 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,319En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/2.01
S/1.74
Envase tipo carrete
S/1.74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 332
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 3,960En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/2.01
S/1.74
Envase tipo carrete
S/1.74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 399
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,914En existencias
Cinta cortada
S/4.98
S/1.94
S/1.71
S/1.61
S/1.47
Envase tipo carrete
S/1.08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 30 V 40 V 8 V 170 mV 2.4 W 315 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,906En existencias
Cinta cortada
S/4.98
S/1.94
S/1.71
S/1.61
S/1.47
Envase tipo carrete
S/1.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 60 V 70 V 8 V 220 mV 2.4 W 320 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K 1,990En existencias
2,000Se espera el 26/10/2026
Cinta cortada
S/4.20
S/2.01
S/1.74
Envase tipo carrete
S/1.74
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 399
: 2,000
Si SMD/SMT PowerVDFN-8 PNP Single 100 V 110 V 8 V 180 mV 2.4 W 160 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTP Reel, Cut Tape