MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Resultados: 26

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/36.59 1,995En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R057M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,995En existencias	Cinta cortada S/36.59 S/21.29 S/18.53 S/18.41 Envase tipo carrete S/17.52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/36.20 335En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R039M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R039M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	335En existencias	S/36.20 S/25.38 S/23.78	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	50 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/70.92 643En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R022M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	643En existencias	Cinta cortada S/70.92 S/43.79 S/42.58 Envase tipo carrete S/41.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/26.24 753En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R107M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	753En existencias	Cinta cortada S/26.24 S/15.38 S/14.01 S/13.20 Envase tipo carrete S/12.65 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/38.65 1,019En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R048M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,019En existencias	Cinta cortada S/38.65 S/21.84 S/20.36 S/19.85 Envase tipo carrete S/19.15 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/30.05 861En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R072M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	861En existencias	Cinta cortada S/30.05 S/18.18 S/16.74 S/15.96 Envase tipo carrete S/15.53 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.89 240En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R107M1HXKS Fin de vida útil	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET	Hoja de datos	240En existencias	S/25.89 S/16.50 S/15.65 S/15.61 S/14.56	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/58.23 1,751En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,751En existencias	S/58.23 S/36.24 S/33.79	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.88 362En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	362En existencias	S/41.88 S/22.77 S/21.06 S/20.90	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/61.15 1,467En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,467En existencias	S/61.15 S/35.07 S/34.80	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/40.48 313En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	313En existencias	S/40.48 S/23.32 S/21.60 S/21.53	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/24.37 1,000En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R163M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,000En existencias	Cinta cortada S/24.37 S/12.81 S/11.68 S/9.61 Envase tipo carrete S/9.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/19.89 667En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R260M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R260M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	667En existencias	Cinta cortada S/19.89 S/10.32 S/9.38 S/8.21 Envase tipo carrete S/7.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	6 A	346 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/56.40 465En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R030M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	465En existencias	S/56.40 S/31.65 S/30.83	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/32.19 314En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	314En existencias	S/32.19 S/18.29 S/16.85 S/16.11	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/28.73 527En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R083M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R083M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	527En existencias	S/28.73 S/18.18 S/17.05 S/15.61 S/14.87	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	24 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/29.47 473En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R107M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	473En existencias	S/29.47 S/15.45 S/14.21 S/13.12	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/57.30 235En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	235En existencias	S/57.30 S/32.19 S/31.45	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.48 128En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R057M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R057M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	128En existencias	S/37.48 S/20.90 S/18.88	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: S/28.45 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R030M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R030M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Envase tipo carrete S/28.45	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	63 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: S/22.23 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R039M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R039M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Envase tipo carrete S/22.23	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	54 A	51 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: S/14.01 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG65R083M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG65R083M1HXTM NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Envase tipo carrete S/14.01	Min.: 1,000 Mult.: 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	28 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	126 W	Enhancement	CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/45.50 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R039M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R039M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	S/45.50 S/24.95 S/23.12 S/23.00	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/35.58 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R057M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R057M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	S/35.58 S/24.13 S/20.51 S/18.33	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/34.10 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	S/34.10 S/20.05 S/16.62 S/16.54	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC

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