Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 4

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK TK100S04N1L,LQ Toshiba 1: S/14.60 3,603En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK100S04N1L,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK100S04N1LLQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	3,603En existencias	Cinta cortada S/14.60 S/7.36 S/6.66 S/5.45 S/5.41 Envase tipo carrete S/5.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1.9 mOhms	20 V	2.5 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK TK55S10N1,LQ Toshiba 1: S/15.22 1,517En existencias	N.º de artículo del Fabricante TK55S10N1,LQ N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK Obtenga más información sobre Toshiba umosviii h	Hoja de datos	1,517En existencias	Cinta cortada S/15.22 S/7.71 S/6.97 S/5.72 Envase tipo carrete S/5.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	55 A	5.5 mOhms	20 V	4 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	AEC-Q101	U-MOSVIII-H	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/8.10 190En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	N.º de artículo del Fabricante TJ60S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ60S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	190En existencias 2,000Se espera el 13/11/2026	Cinta cortada S/8.10 S/3.93 S/3.49 S/2.77 S/2.64 Envase tipo carrete S/2.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	60 A	6.3 mOhms	- 20 V, 10 V	3 V	125 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 TJ80S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 1: S/7.94 Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TJ80S04M3L(T6L1,NQ N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ	Toshiba	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Obtenga más información sobre Toshiba umosvi	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas	Cinta cortada S/7.94 S/3.80 S/3.38 S/2.68 Envase tipo carrete S/2.06 Ver S/2.52 S/2.05 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	40 V	80 A	5.2 mOhms						100 W		AEC-Q100	U-MOSVI	Reel, Cut Tape, MouseReel