Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/13.82
122En existencias
43,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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Cinta cortada

S/13.82

S/8.99

S/6.31

S/5.29

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.34
5En existencias
16,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

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5En existencias

16,500En pedido

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.63

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: S/11.56
155En existencias
10,280En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

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Hoja de datos

155En existencias

10,280En pedido

Cinta cortada

S/11.56

S/7.43

S/5.14

S/4.16

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.71

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: S/32.54
33,673En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

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Hoja de datos

33,673En pedido

Cinta cortada

S/32.54

S/22.93

S/18.53

S/16.47

S/14.60

Envase tipo carrete

S/14.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: S/16.43
13,380En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

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13,380En pedido

Cinta cortada

S/16.43

S/10.74

S/8.02

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470

: 1,500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/10.00
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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5,897En pedido

Cinta cortada

S/10.00

S/6.34

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: S/8.45
5En existencias
10,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

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10,500En pedido

Cinta cortada

S/8.45

S/5.37

S/3.62

S/2.93

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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