Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB027N10N3 G Infineon Technologies 1: S/ 26.86 3,517En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB027N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	3,517En existencias	Cinta cortada S/ 26.86 S/ 17.59 S/ 12.96 S/ 11.52 Envase tipo carrete S/ 10.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	2 V	206 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC360N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 9.73 5,443En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC360N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC360N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	5,443En existencias	Cinta cortada S/ 9.73 S/ 6.23 S/ 4.24 S/ 3.60 Ver Envase tipo carrete S/ 2.86 S/ 3.18 S/ 3.14 S/ 2.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	33 A	36 mOhms	20 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC118N10NS G Infineon Technologies 1: S/ 10.28 4,291En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC118N10NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC118N10NSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	4,291En existencias	Cinta cortada S/ 10.28 S/ 5.02 S/ 4.52 S/ 3.62 Ver Envase tipo carrete S/ 3.16 S/ 3.47 S/ 3.28 S/ 3.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	11 A	11.8 mOhms	20 V	4 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC042NE7NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 10.04 5,471En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC042NE7NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC042NE7NS3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	5,471En existencias	Cinta cortada S/ 10.04 S/ 6.46 S/ 4.40 S/ 3.71 Ver Envase tipo carrete S/ 2.95 S/ 3.29 S/ 3.20 S/ 2.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	75 V	100 A	3.7 mOhms	20 V	2.3 V	69 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC109N10NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 9.54 2,012En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC109N10NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC109N10NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	2,012En existencias 25,000En pedido	Cinta cortada S/ 9.54 S/ 5.10 S/ 4.16 S/ 3.38 Ver Envase tipo carrete S/ 2.84 S/ 3.25 S/ 3.13 S/ 2.84 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	63 A	10.9 mOhms	20 V	3.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC190N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 12.96 9,941En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC190N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC190N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	9,941En existencias	Cinta cortada S/ 12.96 S/ 8.41 S/ 5.80 S/ 4.87 S/ 4.63 Envase tipo carrete S/ 4.24 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	50 A	16 mOhms	20 V	2 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC340N08NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 6.54 5,777En existencias 15,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC340N08NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC340N08NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	5,777En existencias 15,000En pedido	Cinta cortada S/ 6.54 S/ 4.05 S/ 2.66 S/ 2.09 Envase tipo carrete S/ 1.40 Ver S/ 1.79 S/ 1.65 S/ 1.39 S/ 1.34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	23 A	27.5 mOhms	20 V	2 V	9.1 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC520N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 8.76 20,555En existencias 25,000Se espera el 23/09/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC520N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC520N15NS3GXT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	20,555En existencias 25,000Se espera el 23/09/2027	Cinta cortada S/ 8.76 S/ 4.24 S/ 3.89 S/ 3.15 S/ 3.08 Envase tipo carrete S/ 2.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	21 A	52 mOhms	20 V	3 V	8.7 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB108N15N3 G Infineon Technologies 1: S/ 18.33 2,086En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB108N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IP726-B108N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	2,086En existencias	Cinta cortada S/ 18.33 S/ 9.81 S/ 8.91 S/ 7.75 Envase tipo carrete S/ 7.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	10.8 mOhms	20 V	2 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB042N10N3 G Infineon Technologies 1: S/ 13.70 7,191En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB042N10N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB042N10N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	7,191En existencias	Cinta cortada S/ 13.70 S/ 8.91 S/ 6.27 S/ 5.45 Envase tipo carrete S/ 4.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	100 A	4.2 mOhms	20 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 IPB072N15N3 G Infineon Technologies 1: S/ 21.64 1,435En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB072N15N3 G N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon nchannel optimos	Hoja de datos	1,435En existencias	Cinta cortada S/ 21.64 S/ 14.17 S/ 10.59 S/ 9.23 Envase tipo carrete S/ 7.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	150 V	100 A	7.2 mOhms	20 V	2 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ340N08NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 6.81 7En existencias 5,000Se espera el 7/10/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ340N08NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ340N08NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	7En existencias 5,000Se espera el 7/10/2027	Cinta cortada S/ 6.81 S/ 4.20 S/ 2.76 S/ 2.17 Ver Envase tipo carrete S/ 1.40 S/ 1.86 S/ 1.68 S/ 1.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	23 A	27 mOhms	20 V	2 V	9.1 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ900N15NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 5.92 688En existencias 5,000Se espera el 26/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ900N15NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ900N15NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	688En existencias 5,000Se espera el 26/11/2026	Cinta cortada S/ 5.92 S/ 3.65 S/ 2.41 S/ 1.89 Envase tipo carrete S/ 1.27 Ver S/ 1.62 S/ 1.49 S/ 1.25 S/ 1.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	150 V	13 A	74 mOhms	20 V	2 V	7 nC	- 55 C	+ 150 C	38 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC060N10NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 13.58 1,161En existencias 15,000En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC060N10NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC060N10NS3G NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	1,161En existencias 15,000En pedido	Cinta cortada S/ 13.58 S/ 8.84 S/ 6.11 S/ 5.10 Ver Envase tipo carrete S/ 4.40 S/ 4.71 S/ 4.40 S/ 4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	90 A	5.3 mOhms	20 V	2 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC265N10LSF G Infineon Technologies 1: S/ 8.56 915En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC265N10LSF G N.º de artículo de Mouser 726-BSC265N10LSFG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	915En existencias	Cinta cortada S/ 8.56 S/ 5.37 S/ 3.54 S/ 2.81 Envase tipo carrete S/ 2.19 Ver S/ 2.49 S/ 2.28 S/ 2.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	20 mOhms	20 V	1.2 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ440N10NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 6.89 69,938En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ440N10NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ440N10NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	69,938En pedido	Cinta cortada S/ 6.89 S/ 4.24 S/ 2.79 S/ 2.20 Ver Envase tipo carrete S/ 1.41 S/ 1.88 S/ 1.70 S/ 1.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	18 A	38 mOhms	20 V	2 V	9.1 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC057N08NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 9.77 20,000Se espera el 22/04/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC057N08NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSC057N08NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	20,000Se espera el 22/04/2027	Cinta cortada S/ 9.77 S/ 6.19 S/ 4.20 S/ 3.38 Ver Envase tipo carrete S/ 2.69 S/ 3.03 S/ 2.97 S/ 2.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	4.7 mOhms	20 V	2 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 BSC252N10NSF G Infineon Technologies 1: S/ 9.38 6,918En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC252N10NSF G N.º de artículo de Mouser 726-BSC252N10NSFG	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon ir power mosfets	Hoja de datos	6,918En pedido	Cinta cortada S/ 9.38 S/ 5.96 S/ 4.05 S/ 3.25 Ver Envase tipo carrete S/ 2.62 S/ 2.92 S/ 2.72 S/ 2.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	19.5 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ123N08NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 8.10 14,961En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ123N08NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ123N08NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	14,961En pedido	Cinta cortada S/ 8.10 S/ 5.06 S/ 3.36 S/ 2.66 Ver Envase tipo carrete S/ 2.08 S/ 2.36 S/ 2.16 S/ 2.08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	10.3 mOhms	20 V	2 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	66 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ160N10NS3 G Infineon Technologies 1: S/ 8.45 4,983Se espera el 16/09/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ160N10NS3 G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ160N10NS3G	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,983Se espera el 16/09/2027	Cinta cortada S/ 8.45 S/ 5.29 S/ 3.50 S/ 2.78 Ver Envase tipo carrete S/ 2.17 S/ 2.47 S/ 2.25 S/ 2.17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	40 A	14 mOhms	20 V	2 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel