Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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4,677En existencias

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IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/26.86

S/17.59

S/12.96

S/11.52

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/9.96
4,568En existencias
5,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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4,568En existencias

5,000Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/9.96

S/6.31

S/4.28

S/3.44

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Envase tipo carrete

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/10.04

S/6.46

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/25.50

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Infineon Technologies
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726-IPB025N08N3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/17.91

S/13.00

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S/9.69

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Infineon Technologies
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S/4.67

S/3.88

S/3.28

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Infineon Technologies
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BSC520N15NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

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25,000Se espera el 8/04/2027

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S/8.33

S/4.01

S/3.58

S/2.85

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/18.33

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S/8.91

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
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6,000Se espera el 9/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

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726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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6,000Se espera el 9/09/2026

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S/13.70

S/8.91

S/6.27

S/5.45

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100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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1,680En existencias

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S/21.64

S/14.17

S/10.59

S/9.23

Envase tipo carrete

S/7.75

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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150 V

100 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
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20,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

20,227En existencias

Cinta cortada

S/5.57

S/3.43

S/2.26

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.19

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

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23 A

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32 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.54
19,665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

19,665En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.05

S/2.65

S/2.09

Ver

Envase tipo carrete

S/1.34

MouseReel Disponible

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TSDSON-8

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.92
688En existencias
5,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

688En existencias

5,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/5.92

S/3.65

S/2.41

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.27

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

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2 V

7 nC

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
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4,148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,148En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/7.98

S/5.49

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.96
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC190N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

500En existencias

Cinta cortada

S/12.96

S/8.41

S/5.80

S/4.87

S/4.63

Envase tipo carrete

S/4.24

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Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

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50 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSZ340N08NS3 G
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263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

263En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/3.93

S/2.60

S/2.04

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Envase tipo carrete

S/1.41

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

80 V

23 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

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9.1 nC

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+ 150 C

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

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S/2.72

Min.: 5,000
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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.7 mOhms

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2 V

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- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/2.08
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.08

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/2.17
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.17

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.3 mOhms
7.2 mOhms
10.3 mOhms
10.8 mOhms
10.9 mOhms
11.8 mOhms
14 mOhms
16 mOhms
19.5 mOhms
20 mOhms
27 mOhms
27.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms