Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen V Power MOSFETs increase power conversion efficiency with a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Gen V Power MOSFETs have 80V, 100V, and 150V drain-source breakdown voltage options. The Gen V Power MOSFETs are available in a PowerPAK^® 1212-8SH or PowerPAK SO-8 single package.

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Resultados: 29

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

SIR582DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.67
7,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR582DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

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7,818En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/6.89

S/4.71

S/3.78

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

84.1 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

SIR588DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/6.81
5,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR588DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR588DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

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Hoja de datos

5,518En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

59.5 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

59.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

SISS52DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.59
11,964En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SISS52DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS52DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 47.1A

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11,964En pedido

Cinta cortada

S/7.59

S/4.79

S/3.14

S/2.49

S/2.21

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

162 A

1.2 mOhms

- 12 V, 16 V

4.2 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHB100N65E-GE3
Vishay
1: S/41.22
597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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597En existencias

S/41.22

S/28.38

S/21.10

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHB125N65E-GE3
Vishay
1: S/34.22
736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHB125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHB125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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736En existencias

S/34.22

S/23.32

S/17.13

S/16.04

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHH100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/42.35
2,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH100N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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2,469En existencias

Cinta cortada

S/42.35

S/29.19

S/22.42

S/21.25

Envase tipo carrete

S/21.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHH125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/34.37
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHH125N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHH125N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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2,750En existencias

Cinta cortada

S/34.37

S/23.43

S/17.24

S/17.05

S/16.15

Envase tipo carrete

S/16.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/38.93
1,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK100N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK100N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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1,705En existencias

Cinta cortada

S/38.93

S/26.70

S/20.05

S/19.00

Envase tipo carrete

S/19.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay
1: S/35.19
1,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N65E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHK125N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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1,800En existencias

Cinta cortada

S/35.19

S/24.02

S/17.67

S/17.59

S/16.66

Envase tipo carrete

S/16.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHP100N65E-GE3
Vishay
1: S/41.18
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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Hoja de datos

900En existencias

S/41.18

S/28.34

S/21.06

S/20.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHP125N65E-GE3
Vishay
1: S/34.14
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Hoja de datos

815En existencias

S/34.14

S/23.28

S/17.09

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

SIR514DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.94
5,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR514DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR514DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

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Hoja de datos

5,432En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.05

S/4.87

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

84.8 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

SIR516DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.47
5,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR516DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR516DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

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Hoja de datos

5,590En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/6.73

S/4.63

S/3.69

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23.6 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

SIR572DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.72
5,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR572DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR572DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,821En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/7.59

S/5.25

S/4.24

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59.7 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35.9 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

SIR574DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.50
5,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR574DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR574DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,870En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.32

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

48.1 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

SIR576DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.60
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR576DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR576DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,723En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.53

S/3.73

S/2.97

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42.2 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25.2 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

SIR578DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.97
5,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR578DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR578DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,785En existencias

Cinta cortada

S/13.97

S/9.11

S/6.34

S/5.18

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

70.2 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32.5 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

SIR582DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.63
5,934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR582DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,934En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.77

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

93 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.30
6,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR570DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

6,376En existencias

Cinta cortada

S/15.30

S/10.20

S/7.47

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.29

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHG125N65E-GE3
Vishay
1: S/37.37
279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

279En existencias

S/37.37

S/25.57

S/18.92

S/18.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

SIR584DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.24
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SIR584DP-T1-RE3

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625-SIR584DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

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S/3.61

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S/3.15

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36.7 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

SIR586DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: S/8.72
16,205En existencias

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SIR586DP-T1-RE3

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625-SIR586DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

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S/8.72

S/5.57

S/3.77

S/3.00

S/2.75

Envase tipo carrete

S/2.48

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64.9 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25.3 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

SIR510DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix

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S/8.68

S/6.03

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S/4.52

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

126 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

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SQA444CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9 A

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2 V

6 nC

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+ 175 C

13.6 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

SISS54DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SISS54DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS54DN-T1-GE3

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S/6.77

S/4.71

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S/3.72

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S/3.27

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

185.6 A

1.06 mOhms

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2.2 V

47.5 nC

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65.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

TrenchFET® Gen V Power MOSFETs with VDS

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77.4 A
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84.8 A
93 A
100 A
126 A