Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high-temperature and harsh environment operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tipo de producto	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/115.37 1,202En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1,202En existencias	S/115.37 S/76.02	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: S/51.69 617En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMBG120R045M1HXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Hoja de datos	617En existencias	Cinta cortada S/51.69 S/32.07 S/30.24 S/28.77 Envase tipo carrete S/28.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	SiC MOSFETS		SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/27.17 368En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	368En existencias	S/27.17 S/19.27 S/16.54 S/15.57	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 IMZC120R034M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/48.81 683En existencias 240Se espera el 19/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IMZC120R034M2HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZC120R034M2HXK Nuevo producto	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Hoja de datos	683En existencias 240Se espera el 19/10/2026	S/48.81 S/26.98 S/25.53	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/197.86 721En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R007M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R007M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	721En existencias	S/197.86 S/151.11	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/41.49 900En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	900En existencias	S/41.49 S/25.42 S/23.51 S/22.23	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/68.27 603En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R030M1HXK NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package	Hoja de datos	603En existencias	S/68.27 S/39.47	Min.: 1 Mult.: 1	MOSFETs	Si
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/93.46 333En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R020M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R020M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	333En existencias	S/93.46 S/54.96 S/54.81	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.13 386En existencias 720Se espera el 16/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	386En existencias 720Se espera el 16/10/2026	S/37.13 S/20.01 S/18.45 S/16.70	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/25.34 3,907En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	3,907En existencias	S/25.34 S/14.44 S/13.23 S/12.49 S/12.07	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/37.60 480En existencias 480Se espera el 1/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R090M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	480En existencias 480Se espera el 1/10/2026	S/37.60 S/21.29 S/19.66 S/18.02	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/126.27 570En existencias 720En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R014M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R014M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	570En existencias 720En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA120R014M1HXKSA1 Existencias: 570 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 15/10/2026 480 Se espera el 15/11/2026 Plazo de entrega de fábrica: 60 Semanas	S/126.27 S/91.40 S/81.16 S/81.12 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/55.27 957En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R040M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	957En existencias	S/55.27 S/30.95 S/30.05	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/67.89 480Se espera el 8/10/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	480Se espera el 8/10/2026	S/67.89 S/41.73 S/37.68	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R040M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/54.92 8En existencias 2,640En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R040M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R040M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	8En existencias 2,640En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R040M1HXKSA1 Existencias: 8 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 15/10/2026 1,440 Se espera el 19/11/2026 960 Se espera el 3/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/54.92 S/31.26 S/29.35 S/28.38	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole		N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/28.61 73En existencias 240En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	73En existencias 240En pedido	S/28.61 S/16.62 S/15.26 S/14.29	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/22.93 53En existencias 960En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	53En existencias 960En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R350M1HXKSA1 Existencias: 53 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 240 Se espera el 19/11/2026 720 Se espera el 10/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/22.93 S/12.18 S/11.29 S/10.32	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/31.45 22En existencias 2,160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R220M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	22En existencias 2,160En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZ120R220M1HXKSA1 Existencias: 22 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 960 Se espera el 18/03/2027 1,200 Se espera el 29/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/31.45 S/16.62 S/15.30 S/13.35	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/24.83 184En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R350M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Hoja de datos	184En existencias	S/24.83 S/14.09 S/12.92 S/11.72	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/199.22 5En existencias 1,200En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R007M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R007M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	5En existencias 1,200En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZA120R007M1HXKSA1 Existencias: 5 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 480 Se espera el 3/12/2026 720 Se espera el 24/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/199.22 S/152.47 S/152.35	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 240	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/62.94 2,160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2,160En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMZ120R030M1HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 720 Se espera el 22/10/2026 1,440 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/62.94 S/39.82 S/37.72	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/92.21 2,877En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA120R020M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA120R020M1HXK NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2,877En pedido	S/92.21 S/56.05 S/55.35	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-4	N-Channel
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/43.13 1,440En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R060M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	1,440En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R060M1HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 240 Se espera el 26/10/2026 1,200 Se espera el 29/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	S/43.13 S/27.87 S/23.39 S/20.90	Min.: 1 Mult.: 1	SiC MOSFETS		Through Hole	TO-247-3	N-Channel

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