Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ASFETs for Hotswap & Soft Start

Nexperia ASFETs for Hotswap and Soft Start offer strong SOA and low R_DS(on) capabilities in a single device optimized for a non-stop world. Nexperia ASFETs protect always-on rack-based computers, communications, and storage systems from power disruption and component failure. When inserted into a live system, these components on replacement boards depend on a carefully controlled in-rush current.

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Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK

PSMN1R0-30YLEX
Nexperia
1: S/12.22
1,643En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R0-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R0-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK

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Hoja de datos

1,643En existencias

Cinta cortada

S/12.22

S/6.07

S/5.49

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

275 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS

PSMNR67-30YLEX
Nexperia
1: S/15.92
1,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR67-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR67-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS

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1,425En existencias

Cinta cortada

S/15.92

S/8.10

S/7.32

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

365 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS

PSMNR56-25YLEX
Nexperia
1: S/16.00
1,832En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR56-25YLEX

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771-PSMNR56-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS

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1,832En existencias

Cinta cortada

S/16.00

S/10.51

S/7.82

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.84

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

25 V

320 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK

PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1: S/11.02
1,974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR98-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR98-25YLEX

Nexperia

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Hoja de datos

1,974En existencias

Cinta cortada

S/11.02

S/5.45

S/4.90

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

255 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK

PSMN2R1-30YLEX
Nexperia
1: S/8.68
1,494En existencias
1,500Se espera el 7/09/2026

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PSMN2R1-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN2R1-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK

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1,494En existencias

1,500Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.73

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

160 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK

PSMN1R6-25YLEX
Nexperia
1: S/8.68
1,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R6-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R6-25YLEX

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1,612En existencias

Cinta cortada

S/8.68

S/5.53

S/3.73

S/3.00

Envase tipo carrete

S/2.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

185 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK

PSMN1R1-30YLEX
Nexperia
1: S/11.25
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R1-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R1-30YLEX

Nexperia

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Hoja de datos

135En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.12

S/4.98

S/3.93

S/3.48

Envase tipo carrete

S/3.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

265 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK

PSMNR82-30YLEX
Nexperia
1: S/16.62
1,287En existencias

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PSMNR82-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR82-30YLEX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR82-30YLE/SOT669/LFPAK

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1,287En existencias

Cinta cortada

S/16.62

S/10.94

S/7.71

S/6.46

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

330 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK

PSMNR89-25YLEX
Nexperia
1: S/12.38
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR89-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR89-25YLEX

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Cinta cortada

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S/7.86

S/5.53

S/4.40

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

270 A

980 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

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