Resultados: 40
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
275En existencias
S/ 86.37
S/ 57.45
S/ 53.76
S/ 49.36
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
248En existencias
S/ 62.24
S/ 35.27
S/ 34.57
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
2,247En existencias
S/ 26.82
S/ 14.29
S/ 13.58
S/ 11.64
S/ 11.44
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
310En existencias
S/ 79.95
S/ 48.03
S/ 44.96
S/ 43.28
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Hoja de datos
274En existencias
S/ 67.50
S/ 38.96
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
261En existencias
S/ 259.36
S/ 207.59
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds
Hoja de datos
211En existencias
90Se espera el 22/12/2026
S/ 46.24
S/ 29.78
S/ 27.44
S/ 24.37
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
165En existencias
S/ 50.21
S/ 32.97
S/ 30.60
S/ 27.17
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Hoja de datos
549En existencias
S/ 18.14
S/ 9.34
S/ 8.45
S/ 6.93
S/ 6.77
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V
Hoja de datos
300En existencias
S/ 23.39
S/ 12.30
S/ 10.78
S/ 9.69
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1
Hoja de datos
127En existencias
S/ 93.50
S/ 66.52
S/ 66.48
S/ 63.37
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Hoja de datos
962En existencias
1,550Se espera el 2/11/2026
S/ 40.83
S/ 24.21
S/ 24.17
S/ 22.89
S/ 21.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200
Hoja de datos
598En existencias
S/ 41.65
S/ 25.15
S/ 22.73
S/ 21.68
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
295En existencias
300Se espera el 23/03/2027
S/ 132.70
S/ 98.56
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
151En existencias
300Se espera el 18/01/2027
S/ 61.97
S/ 36.08
S/ 33.48
S/ 32.85
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
83En existencias
S/ 63.10
S/ 36.51
S/ 35.23
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
1En existencias
S/ 72.98
S/ 46.59
S/ 39.43
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Hoja de datos
96En existencias
S/ 67.50
S/ 38.57
S/ 38.46
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds
Hoja de datos
300En existencias
S/ 16.19
S/ 8.45
S/ 7.59
S/ 6.50
S/ 6.46
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
337Se espera el 16/02/2027
S/ 43.71
S/ 24.99
S/ 23.04
S/ 20.98
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Hoja de datos
800Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
S/ 12.30
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
S/ 65.47
S/ 42.86
S/ 35.07
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
S/ 46.09
S/ 45.04
S/ 43.95
Min.: 300
Mult.: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
S/ 255.66
S/ 222.11
S/ 195.52
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds
Hoja de datos
No en existencias
S/ 10.70
S/ 7.94
S/ 6.66
S/ 6.19
S/ 5.80
Min.: 50
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube