Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

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Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS BUK7J1R4-40HX Nexperia 1: S/10.78 20,284En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7J1R4-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7J1R4-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	20,284En existencias	Cinta cortada S/10.78 S/6.81 S/4.32 Envase tipo carrete S/4.28 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56E-4	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	740 uOhms	20 V	2.4 V	126 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Trench 9	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y1R4-40HX Nexperia 1: S/11.21 6,444En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y1R4-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y1R4-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	6,444En existencias	Cinta cortada S/11.21 S/7.20 S/5.06 S/4.16 S/3.34 Envase tipo carrete S/3.34 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	190 A	1.4 mOhms	20 V	2.4 V	103 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R0-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y2R0-40HX Nexperia 1: S/8.99 2,928En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y2R0-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y2R0-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R0-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	2,928En existencias	Cinta cortada S/8.99 S/5.18 S/2.95 S/2.51 Envase tipo carrete S/2.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.07 mOhms	20 V	2.4 V	90.5 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Trench 9	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y1R7-40HX Nexperia 1: S/9.50 2,862En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y1R7-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y1R7-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R7-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	2,862En existencias	Cinta cortada S/9.50 S/4.67 S/4.01 S/3.33 S/2.92 Envase tipo carrete S/2.85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	950 uOhms	20 V	2.4 V	96 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Trench 9	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS BUK7J1R0-40HX Nexperia 1: S/14.91 2,868En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7J1R0-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7J1R0-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	2,868En existencias	Cinta cortada S/14.91 S/7.55 S/6.81 S/5.57 S/5.22 Envase tipo carrete S/5.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56E-4	N-Channel	1 Channel	40 V	220 A	1 mOhms	20 V	2.4 V	131 nC	- 55 C	+ 175 C	500 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y3R5-40HX Nexperia 1: S/6.50 5,933En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y3R5-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y3R5-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R5-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	5,933En existencias	Cinta cortada S/6.50 S/3.32 S/2.50 S/1.90 Envase tipo carrete S/1.90 S/1.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOT-669-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	3.5 mOhms	20 V	2.4 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y1R3-40HX Nexperia 1: S/11.83 1,270En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y1R3-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y1R3-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	1,270En existencias	Cinta cortada S/11.83 S/6.73 S/5.18 S/4.59 S/3.79 Envase tipo carrete S/3.33 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	190 A	1.3 mOhms	- 10 V, 16 V	2.05 V	99 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y2R5-40HX Nexperia 1: S/8.33 437En existencias	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y2R5-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y2R5-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y2R5-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	437En existencias	Cinta cortada S/8.33 S/4.05 S/3.60 S/2.86 Envase tipo carrete S/2.50 Ver S/2.50 S/2.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.5 mOhms	20 V	2.4 V	79 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	Trench 9	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y7R0-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y7R0-40HX Nexperia 1: S/4.90 408En existencias 1,500Se espera el 13/09/2027	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y7R0-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y7R0-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y7R0-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	408En existencias 1,500Se espera el 13/09/2027	Cinta cortada S/4.90 S/2.27 S/2.02 S/1.56 Envase tipo carrete S/1.30 Ver S/1.34 S/1.17 S/1.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-4	N-Channel	1 Channel	40 V	68 A	7 mOhms	20 V	3.6 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	64 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-40H/SOT1205/LFPAK56D BUK9K13-40HX Nexperia 1: S/6.85 181En existencias 1,500Se espera el 31/05/2027	N.º de artículo del Fabricante BUK9K13-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9K13-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K13-40H/SOT1205/LFPAK56D Obtenga más información sobre Nexperia lfpak56d half bridge mosfets	Hoja de datos	181En existencias 1,500Se espera el 31/05/2027	Cinta cortada S/6.85 S/4.24 S/2.78 S/1.88 Envase tipo carrete S/1.63 Ver S/1.63 S/1.43 S/1.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56D-8	N-Channel	2 Channel	40 V	42 A	13.6 mOhms	20 V	2.2 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	46 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R0-40H/SOT669/LFPAK BUK7Y3R0-40HX Nexperia 1: S/7.43 2,970Se espera el 17/05/2027	N.º de artículo del Fabricante BUK7Y3R0-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK7Y3R0-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y3R0-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	2,970Se espera el 17/05/2027	Cinta cortada S/7.43 S/3.54 S/3.09 S/2.46 Envase tipo carrete S/2.07 Ver S/2.17 S/1.92 S/1.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOT-669-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	1.8 mOhms	20 V	2.4 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement	Trench 9	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y6R5-40HX Nexperia 1: S/4.67 1,500Se espera el 30/10/2026	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y6R5-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y6R5-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R5-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	1,500Se espera el 30/10/2026	Cinta cortada S/4.67 S/2.31 S/1.98 S/1.60 Envase tipo carrete S/1.30 Ver S/1.37 S/1.19 S/1.18 S/1.16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOT-669-5	N-Channel	1 Channel	40 V	70 A	6.5 mOhms	20 V	2.15 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	64 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS BUK9J0R9-40HX Nexperia 1,500: S/5.49 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BUK9J0R9-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9J0R9-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/5.49	Min.: 1,500 Mult.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56E-4	N-Channel	1 Channel	40 V	220 A	940 uOhms	16 V	1.35 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	500 W	Enhancement		Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y1R6-40HX Nexperia 1,500: S/3.20 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y1R6-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y1R6-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R6-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/3.20 S/3.04	Min.: 1,500 Mult.: 1,500 : 1,500	Si		LFPAK-56-5														Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y1R9-40HX Nexperia 1,500: S/2.65 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y1R9-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y1R9-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/2.65 S/2.57 S/2.55	Min.: 1,500 Mult.: 1,500 : 1,500	Si		LFPAK-56-5														Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y2R4-40HX Nexperia 1,500: S/2.61 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y2R4-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y2R4-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/2.61 S/2.56 S/2.48 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1,500 Mult.: 1,500 : 1,500	Si		LFPAK-56-5														Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK BUK9Y2R8-40HX Nexperia 1,500: S/2.02 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	N.º de artículo del Fabricante BUK9Y2R8-40HX N.º de artículo de Mouser 771-BUK9Y2R8-40HX	Nexperia	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK Obtenga más información sobre Nexperia trench9 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas	Envase tipo carrete S/2.02 S/1.95	Min.: 1,500 Mult.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	LFPAK-56-5	N-Channel	1 Channel	40 V	120 A	2.8 mOhms	- 10 V, 16 V	2.05 V	4.7 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement		Reel

Trench 9 Superjunction MOSFETs

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