Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

Diode Inc. DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (R_DS(ON)). They maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMN31D5UFZ and DMN2990UFZ are N-Channel enhancement mode MOSFETs and the DMP32D9UFZ is a P-Channel Enhancement Mode MOSFET.

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair

DMC3021LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.05
17,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC3021LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC3021LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair

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Hoja de datos

17,073En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.51

S/1.64

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 920

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

7 A, 8.5 A

21 mOhms, 39 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V, 2.2 V

16.1 nC, 21.1 nC

- 55 C

+ 100 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss

DMC4015SSD-13
Diodes Incorporated
1: S/6.77
3,488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC4015SSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC4015SSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss

Hoja de datos

3,488En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.32

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8.8 A, 12.2 A

15 mOhms, 29 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

40 nC, 34 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

DMN2990UFZ-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.06
18,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2990UFZ-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2990UFZ-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF

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Hoja de datos

18,437En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.26

S/0.798

S/0.599

Envase tipo carrete

S/0.599

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 840

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

990 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

320 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.84
4,226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC25D0UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos

4,226En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.14

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.658

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

25 V, 30 V

400 mA, 2.6 A

4 Ohms, 300 mOhms

- 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V

500 mV, 650 mV

700 pC, 21 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

DMC25D1UVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.84
9,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC25D1UVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC25D1UVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos

9,322En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.14

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.658

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V, 25 V

500 mA, 3.5 A

4 Ohms, 100 mOhms

- 8 V, 8 V

350 mV, 650 mV

900 pC, 24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

DMN31D5UFZ-7B
Diodes Incorporated
1: S/3.11
191En existencias
100,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN31D5UFZ-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN31D5UFZ-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

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Hoja de datos

191En existencias

100,000En pedido

Cinta cortada

S/3.11

S/2.07

S/1.32

S/0.872

Ver

Envase tipo carrete

S/0.428

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10,000

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

220 mA

4.5 Ohms

- 12 V, 12 V

1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

393 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A

DMP32D9UFZ-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.76
1,738En existencias
10,000Se espera el 4/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMP32D9UFZ-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMP32D9UFZ-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 30V 0.35VnC Enh Mode FET -0.2A

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Hoja de datos

1,738En existencias

10,000Se espera el 4/08/2026

Cinta cortada

S/2.76

S/1.83

S/1.16

S/0.767

Ver

Envase tipo carrete

S/0.393

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

X2-DFN0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

200 mA

10 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

350 pC

- 55 C

+ 150 C

390 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.568
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMC25D0UVT-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC25D0UVT-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.568

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

: 10,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

DMC25D1UVT-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.568
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMC25D1UVT-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMC25D1UVT-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.568

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

: 10,000

SMD/SMT

TSOT-26-6

Reel

DMxx Miniature Enhancement Mode MOSFETs

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