DMP4015 Automotive MOSFETs Protect ECUs

Diodes Incorporated DMP4015 Automotive MOSFETs protect automotive Electronic Control Units (ECUs) against the risk of reverse battery connection. A growing number of automotive control applications are using ECUs with some vehicles deploying up to 80 EMUs. Protect each one with the cost-effective DMP4015 from Diodes Incorporated. Only a minimal number of passive components are needed to drive the DMP4015, thus eliminating the switching topology of a charge pump. This also avoids issues with EMI emissions.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 TO252,2.5K 38,679En existencias
25,000Se espera el 16/08/2027
Cinta cortada
S/6.38
S/3.00
S/2.63
S/2.34
S/2.18
Envase tipo carrete
S/1.70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 11 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 4,100En existencias
Cinta cortada
S/7.79
S/3.71
S/3.27
Envase tipo carrete
S/3.27
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 11 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 DI5060-8 T&R 2.5K 4,040En existencias
Cinta cortada
S/6.23
S/2.92
S/2.60
Envase tipo carrete
S/2.60
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8.5 A 11 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 2,592En existencias
2,500Se espera el 9/08/2027
Cinta cortada
S/8.68
S/4.48
S/3.72
Envase tipo carrete
S/3.72
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 10.1 A 15 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.82 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W 3,804En existencias
7,500Se espera el 30/07/2027
Cinta cortada
S/6.11
S/2.86
S/2.55
Envase tipo carrete
S/2.55
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8.5 A 15 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K 246En existencias
22,500En pedido
Cinta cortada
S/6.93
S/3.83
S/2.94
S/2.71
Envase tipo carrete
S/2.71
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 10.1 A 11 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel