Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp IRF830ALPBF Vishay Semiconductors 1: S/ 13.23 1,148En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp	Hoja de datos	1,148En existencias	S/ 13.23 S/ 8.60 S/ 5.96 S/ 4.94 S/ 4.28	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: S/ 9.34 1,535En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,535En existencias	Cinta cortada S/ 9.34 S/ 5.96 S/ 4.94 S/ 4.20 Envase tipo carrete S/ 3.89 Ver S/ 3.71 S/ 3.59 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: S/ 7.98 3,050En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF830APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	3,050En existencias	S/ 7.98 S/ 5.41 S/ 3.62 S/ 3.11 Ver S/ 2.62 S/ 2.53	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8 IRF830APBF Vishay Semiconductors 1: S/ 9.34 1,157En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8	Hoja de datos	1,157En existencias	S/ 9.34 S/ 6.46 S/ 4.55 S/ 3.51 S/ 3.39	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASPBF Vishay Semiconductors 1: S/ 11.52 1,057En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,057En existencias	S/ 11.52 S/ 6.19 S/ 5.18 S/ 4.16 Ver S/ 3.79 S/ 3.71 S/ 3.64	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube