π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

Resultados: 21
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V 10,128En existencias
Cinta cortada
S/ 3.39
S/ 1.55
S/ 1.37
S/ 1.05
Envase tipo carrete
S/ 0.806
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346-3 N-Channel 1 Channel 30 V 200 mA 2 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V 45,979En existencias
Cinta cortada
S/ 1.79
S/ 1.10
S/ 0.794
S/ 0.697
Envase tipo carrete
S/ 0.385
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 30 V 400 mA 700 mOhms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 143,038En existencias
Cinta cortada
S/ 1.09
S/ 0.487
S/ 0.424
S/ 0.311
Envase tipo carrete
S/ 0.187
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-883-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
31,940En existencias
Cinta cortada
S/ 1.56
S/ 0.697
S/ 0.607
S/ 0.452
Envase tipo carrete
S/ 0.319
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V
6,859En existencias
Cinta cortada
S/ 1.01
S/ 0.444
S/ 0.385
S/ 0.284
Envase tipo carrete
S/ 0.202
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
94En existencias
24,000Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
S/ 0.973
S/ 0.42
S/ 0.366
S/ 0.269
Envase tipo carrete
S/ 0.195
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
37,787En existencias
Cinta cortada
S/ 0.895
S/ 0.381
S/ 0.335
S/ 0.245
Ver
Envase tipo carrete
S/ 0.128
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.1 V + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
8,768En existencias
6,000Se espera el 9/11/2026
Cinta cortada
S/ 0.934
S/ 0.405
S/ 0.354
S/ 0.257
Envase tipo carrete
S/ 0.183
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching
3,128En existencias
30,000Se espera el 25/12/2026
Cinta cortada
S/ 1.13
S/ 0.498
S/ 0.436
S/ 0.319
Envase tipo carrete
S/ 0.234
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V 234En existencias
72,000Se espera el 6/11/2026
Cinta cortada
S/ 0.856
S/ 0.37
S/ 0.319
S/ 0.234
Envase tipo carrete
S/ 0.121
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V 616En existencias
Cinta cortada
S/ 1.67
S/ 0.732
S/ 0.642
S/ 0.479
Envase tipo carrete
S/ 0.354
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 2.2 Ohms, 2.2 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V 4,700En existencias
Cinta cortada
S/ 1.67
S/ 0.732
S/ 0.642
S/ 0.479
Envase tipo carrete
S/ 0.424
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 12 Ohms 20 V 1.7 V + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
7,198En existencias
Cinta cortada
S/ 1.44
S/ 0.634
S/ 0.553
S/ 0.409
Envase tipo carrete
S/ 0.288
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 20 Ohms, 44 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
13,113En existencias
Cinta cortada
S/ 1.99
S/ 0.88
S/ 0.771
S/ 0.576
Envase tipo carrete
S/ 0.428
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 100 mA, 180 mA 11 Ohms 10 V 1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V
4,185En existencias
16,000En pedido
Cinta cortada
S/ 2.02
S/ 0.911
S/ 0.798
S/ 0.599
Envase tipo carrete
S/ 0.432
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 8 Ohms 20 V 1.7 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
14,998Se espera el 12/02/2027
Cinta cortada
S/ 0.895
S/ 0.381
S/ 0.335
S/ 0.245
Envase tipo carrete
S/ 0.175
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 100 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
5,979Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/ 1.63
S/ 1.00
S/ 0.946
S/ 0.65
Envase tipo carrete
S/ 0.494
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 460 mOhms, 460 mOhms 20 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
3,858Se espera el 11/12/2026
Cinta cortada
S/ 1.75
S/ 0.782
S/ 0.685
S/ 0.51
Envase tipo carrete
S/ 0.362
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOT-553-5 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
12,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
S/ 1.40
S/ 0.86
S/ 0.541
S/ 0.401
Ver
Envase tipo carrete
S/ 0.222
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 180 mA 20 Ohms, 20 Ohms 10 V 400 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Cinta cortada
S/ 1.67
S/ 1.02
S/ 0.642
S/ 0.479
Envase tipo carrete
S/ 0.354
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-353-5 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 3 Ohms 10 V 600 mV + 150 C 200 mW Enhancement MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel No en existencias
Cinta cortada
S/ 2.02
S/ 1.38
S/ 0.876
S/ 0.553
Envase tipo carrete
S/ 0.358
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT ES6-6 MOSVI Reel, Cut Tape