AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo máxima
Vr - Tensión inversa
Serie
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Hoja de datos
1,792En existencias
S/43.05
S/23.86
S/22.07
S/21.84
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 650 V 1.55 V 76 A 200 uA + 175 C 650 V AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
888En existencias
Cinta cortada
S/43.17
S/29.23
S/23.32
S/22.46
Envase tipo carrete
S/21.91
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Hoja de datos
325En existencias
S/63.29
S/35.89
S/35.38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 Dual 40 A 650 V 1.55 V 130 A 400 uA + 175 C 650 V AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Hoja de datos
798En existencias
S/43.09
S/25.73
S/25.22
S/24.21
S/23.71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 Dual 10 A 1.2 kV 1.6 V 45 A 100 uA + 175 C 1.2 kV AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
Hoja de datos
440En existencias
S/58.00
S/47.61
S/41.46
S/39.24
S/38.15
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247N-3 Dual 20 A 1.2 kV 1.6 V 84 A 200 uA + 175 C 1.2 kV AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 8A 13nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
613En existencias
Cinta cortada
S/23.36
S/17.20
S/14.95
S/13.94
Envase tipo carrete
S/13.62
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 6A 9nC SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
1,036En existencias
Cinta cortada
S/26.20
S/17.13
S/12.73
S/11.83
Envase tipo carrete
S/11.09
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
856En existencias
Cinta cortada
S/35.19
S/19.31
S/17.75
S/17.44
Envase tipo carrete
S/16.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
260En existencias
Cinta cortada
S/39.35
S/25.92
S/21.95
S/21.72
Envase tipo carrete
S/18.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
177En existencias
Cinta cortada
S/53.37
S/32.11
S/30.09
S/29.74
Envase tipo carrete
S/28.26
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263AB-3 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C 650 V SCS2x AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel