40V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon 40V OptiMOS Power MOSFETs feature 35% lower RDS(on) and 45% lower Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. These devices are optimized for synchronous rectification in switched-mode power supplies (SMPS) as well as a broad range of industrial applications such as motor control, solar microinverters, and fast switching DC/DC converters. In addition, this new generation of 40V devices offers higher switching frequencies and is enabled, which results in even higher power density.  A monolithic integrated Schottky-like diode in the 40V SuperSO8 package (5mm x 6mm) leads to higher efficiency and a drastic reduction of the voltage overshoot. This in turn reduces the need for a snubber circuit and saves engineering effort.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
35,218En existencias
Cinta cortada
S/9.11
S/4.44
S/3.97
S/3.16
Envase tipo carrete
S/2.68
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
32,106En existencias
Cinta cortada
S/7.12
S/3.39
S/3.02
S/2.39
S/2.31
Envase tipo carrete
S/1.90
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 20 V 1.2 V 77 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
13,249Se espera el 1/04/2027
Cinta cortada
S/8.80
S/5.61
S/3.76
S/3.05
S/2.94
Envase tipo carrete
S/2.53
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel