Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V are optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility. These devices offer high power efficiency for improved overall system performance while having excellent robustness. Increased current ratings allow for higher current-carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices, translating to lower BOM costs and board savings. Applications include switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, battery-powered devices, battery management, uninterruptible power supplies (UPS), light electric vehicles, power tools, gardening tools, adapters, and consumer applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.92
737En existencias
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IPB018N03LF2SATMA1

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726-IPB018N03LF2SATM

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.92

S/8.37

S/5.80

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

125 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
784En existencias
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726-IPB020N03LF2SATM

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784En existencias

Cinta cortada

S/12.46

S/8.10

S/5.57

S/4.55

Envase tipo carrete

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.28
6,961En existencias
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IPD020N03LF2SATMA1

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726-IPD020N03LF2SATM

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6,961En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/4.48

S/3.82

Envase tipo carrete

S/3.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.08
2,829En existencias
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IPD023N03LF2SATMA1

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726-IPD023N03LF2SATM

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Cinta cortada

S/10.08

S/6.42

S/4.32

S/3.50

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

137 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
3,721En existencias
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726-IPD030N03LF2SATM

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Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.85

S/3.12

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

99 A

3.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD040N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.86
3,706En existencias
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IPD040N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N03LF2SATM

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Cinta cortada

S/7.86

S/4.94

S/3.25

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

73 A

4.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

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IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
2,458En existencias
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IPD047N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD047N03LF2SATM

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Infineon Technologies

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2,458En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.40

S/2.88

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

71 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK

IPB023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
782Se espera el 29/07/2026
Nuevo producto

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IPB023N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB023N03LF2SATM

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782Se espera el 29/07/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/6.27

S/4.24

S/3.88

Envase tipo carrete

S/2.90

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

30 V

119 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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