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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
1,769En existencias
Cinta cortada
S/11.37
S/5.64
S/5.06
S/4.09
S/3.84
Envase tipo carrete
S/3.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,054En existencias
Cinta cortada
S/9.38
S/4.59
S/4.13
S/3.37
S/3.11
Envase tipo carrete
S/2.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
1,735En existencias
S/40.83
S/31.88
S/29.66
S/27.21
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Min.: 1
Mult.: 1
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
190En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
Cinta cortada
S/8.10
S/3.93
S/3.49
S/2.77
S/2.64
Envase tipo carrete
S/2.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Cinta cortada
S/7.94
S/3.80
S/3.38
S/2.68
Envase tipo carrete
S/2.06
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000