TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
1,240En existencias
Cinta cortada
S/ 18.68
S/ 12.77
S/ 9.30
S/ 7.94
Envase tipo carrete
S/ 7.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
478En existencias
S/ 27.44
S/ 15.73
S/ 13.12
S/ 12.11
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
263En existencias
S/ 33.94
S/ 19.77
S/ 16.50
S/ 16.04
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
382En existencias
Cinta cortada
S/ 22.62
S/ 15.10
S/ 11.29
S/ 9.89
Envase tipo carrete
S/ 9.30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
514En existencias
S/ 31.57
S/ 22.23
S/ 17.94
S/ 15.96
S/ 14.17
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
396En existencias
Cinta cortada
S/ 19.15
S/ 12.61
S/ 9.19
S/ 7.82
Envase tipo carrete
S/ 7.08
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Hoja de datos
8En existencias
S/ 311.63
S/ 250.09
S/ 237.56
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 19.07
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 8.80
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 8.87
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
S/ 10.63
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
S/ 40.09
S/ 28.34
S/ 23.63
S/ 21.06
S/ 19.70
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
S/ 17.32
S/ 15.38
Min.: 240
Mult.: 240
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
S/ 25.65
S/ 22.85
Min.: 240
Mult.: 240
IGBTs Si Through Hole TO-247-4