TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

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Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
GaN
Marca: Renesas Electronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 7.2 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 6.2 ns
Serie: Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica: 1300
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 56 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 43.4 ns
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT features an on-resistance RDS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

En existencias: 1,659

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/33.20 S/33.20
S/18.02 S/180.20
S/16.58 S/1,658.00
S/16.27 S/8,135.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1300)
S/13.31 S/17,303.00
S/13.27 S/34,502.00

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