MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs are developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance. The technology enables an extremely low R_DS(ON) increase vs. temperature, which results in low power losses across the full operating range. Available in 650V and 1200V variants, these MOSFETs are optimized for faster switching speeds, higher efficiency, and increased power density. GeneSiC G3F SiC MOSFETs offer high-speed, cool-running performance, with up to a +25°C lower case temperature. The thermally enhanced TOLL package for the 650V variant provides space and thermal management advantages. The 1200V models offer the power needed for next-generation EVs and industrial applications. Typical applications include AI data centers, EV roadside superchargers, onboard chargers (OBC), energy storage systems (ESS), and solar power solutions.

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GeneSiC Semiconductor
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G3F25MT06K
GeneSiC Semiconductor
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MOSFETs de SiC 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET

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GeneSiC Semiconductor
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Envase tipo carrete

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GeneSiC Semiconductor
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MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

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GeneSiC Semiconductor
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S/46.01

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GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor
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GeneSiC Semiconductor
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G3F34MT12K
GeneSiC Semiconductor
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S/53.02

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G3F40MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
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MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

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G3F45MT06D
GeneSiC Semiconductor
1: S/40.37
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S/36.71

S/35.30

S/33.32

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Through Hole

TO-247-3

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650 V

52 A

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MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

G3F45MT06J-TR
GeneSiC Semiconductor
1: S/38.26
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G3F45MT06J-TR

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S/38.26

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S/30.56

S/26.24

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S/26.20

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: 800

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TO-263-7

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1 Channel

650 V

57 A

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MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET

G3F45MT06K
GeneSiC Semiconductor
1: S/41.77
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G3F45MT06K

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905-G3F45MT06K

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S/41.77

S/37.95

S/36.51

S/34.49

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TO-247-4

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650 V

52 A

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Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET

G3F45MT06L-TR
GeneSiC Semiconductor
1: S/39.82
1,055En existencias
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G3F45MT06L-TR

N.º de artículo de Mouser
905-G3F45MT06L-TR

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GeneSiC Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET

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S/39.82

S/32.46

S/31.84

S/27.40

S/27.25

Envase tipo carrete

S/27.21

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TO-LL

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650 V

40 mOhms

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GeneSiC Semiconductor
1: S/31.45
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905-G3F60MT06D

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S/31.45

S/28.61

S/27.52

S/26.00

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

55 mOhms

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

G3F60MT06J-TR
GeneSiC Semiconductor
1: S/30.21
755En existencias
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G3F60MT06J-TR

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S/24.09

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S/20.12

Min.: 1
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: 800

MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET

G3F60MT06K
GeneSiC Semiconductor
1: S/32.23
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S/29.31

S/28.14

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

42 A

55 mOhms

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET

G3F60MT06L-TR
GeneSiC Semiconductor
1: S/27.52
1,200En existencias
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G3F60MT06L-TR

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905-G3F60MT06L-TR

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GeneSiC Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET

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S/18.22

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Envase tipo carrete

S/18.02

Min.: 1
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: 1,200

MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET

G3F65MT12J-TR
GeneSiC Semiconductor
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S/31.65

S/30.98

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S/26.16

Envase tipo carrete

S/26.12

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 mOhms

Enhancement

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