Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.46 8,690En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISZ230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	8,690En existencias	Cinta cortada S/ 6.46 S/ 3.05 S/ 2.72 S/ 2.14 Ver Envase tipo carrete S/ 1.66 S/ 2.12 S/ 1.98 S/ 1.66	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.51 7,084En existencias 105,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC230N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC230N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	7,084En existencias 105,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC230N10NM6ATMA1 Existencias: 7,084 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 40,000 Se espera el 17/12/2026 65,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 7.51 S/ 4.24 S/ 3.11 S/ 2.59 Ver Envase tipo carrete S/ 1.73 S/ 2.43 S/ 2.23 S/ 1.73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	31 A	23 mOhms	20 V	3.3 V	7.4 nC	- 55 C	+ 175 C	48 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 15.03 10En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC030N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC030N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	10En existencias 20,000En pedido	Cinta cortada S/ 15.03 S/ 8.91 S/ 7.05 S/ 6.07 S/ 5.49 Envase tipo carrete S/ 5.10 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	179 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	55 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC060N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.37 168En existencias 65,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC060N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC060N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	168En existencias 65,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC060N10NM6ATMA1 Existencias: 168 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25,000 Se espera el 5/11/2026 10,000 Se espera el 26/11/2026 30,000 Se espera el 10/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 11.37 S/ 6.50 S/ 5.06 S/ 4.13 Ver Envase tipo carrete S/ 3.23 S/ 3.85 S/ 3.74 S/ 3.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	97 A	6 mOhms	20 V	3.3 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.81 3En existencias 20,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	3En existencias 20,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC080N10NM6ATMA1 Existencias: 3 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 17/12/2026 10,000 Se espera el 18/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 9.81 S/ 5.53 S/ 4.32 S/ 3.60 Ver Envase tipo carrete S/ 2.68 S/ 3.43 S/ 3.20 S/ 2.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.05 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 27.05 74,954En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC022N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC022N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	74,954En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISC022N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 19,954 Se espera el 28/01/2027 55,000 Se espera el 18/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 27.05 S/ 15.69 S/ 11.95 S/ 11.02 Envase tipo carrete S/ 8.95 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	230 A	2.24 mOhms	20 V	3.3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	254 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 17.48 15,240En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISC027N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC027N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	15,240En pedido	Cinta cortada S/ 17.48 S/ 8.95 S/ 8.14 S/ 6.89 Envase tipo carrete S/ 6.46 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	192 A	2.7 mOhms	20 V	3.3 V	58 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISZ080N10NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.90 108,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISZ080N10NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ080N10NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 100v mosfets	Hoja de datos	108,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISZ080N10NM6ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 3,000 Se espera el 24/12/2026 105,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 7.90 S/ 3.78 S/ 3.29 S/ 2.69 Ver Envase tipo carrete S/ 2.18 S/ 2.68 S/ 2.67 S/ 2.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	75 A	8.04 mOhms	20 V	3.3 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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