Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
716En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

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726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/15.18

S/9.93

S/7.20

S/6.03

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S/5.29

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Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
898En existencias
Nuevo producto

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IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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898En existencias

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S/27.05

S/17.75

S/13.39

Envase tipo carrete

S/10.39

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Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.96
900En existencias
Nuevo producto

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IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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S/28.96

S/19.38

S/15.92

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S/13.51

S/11.13

Presupuesto

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Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.63
894En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

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894En existencias

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S/39.63

S/27.21

S/20.55

S/19.27

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S/19.27

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Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
6,352En existencias
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IQE036N08NM6CGSCATMA1

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726-IQE036N08NM6CGSC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/15.88

S/10.35

S/7.55

S/6.34

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S/5.53

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Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
783En existencias
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726-IQE036N08NM6ATMA

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S/14.40

S/9.38

S/6.58

S/5.53

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S/4.83

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Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
216En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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S/14.60

S/9.50

S/6.66

S/5.61

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S/4.87

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Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC018N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.87
107En existencias
5,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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107En existencias

5,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/17.87

S/11.72

S/8.76

S/8.10

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S/8.10

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC056N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.80
5,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC056N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC056N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

S/8.80

S/5.61

S/3.76

S/3.09

Envase tipo carrete

S/2.85

S/2.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.55
4,740Se espera el 10/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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4,740Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/26.55

S/17.79

S/14.29

S/12.69

S/11.37

Envase tipo carrete

S/11.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.15
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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1,000En pedido

Cinta cortada

S/22.15

S/14.52

S/10.70

S/9.50

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Envase tipo carrete

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC031N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
4,997Se espera el 3/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

4,997Se espera el 3/06/2027

Cinta cortada

S/10.63

S/6.81

S/4.67

S/3.93

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Envase tipo carrete

S/3.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.73
500Se espera el 29/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

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500Se espera el 29/07/2026

S/28.73

S/18.80

S/13.90

S/12.14

S/11.02

Min.: 1
Mult.: 1

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.74
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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1,000En pedido

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.27

S/5.25

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Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

171 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

80 V

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

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