Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 15

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 23.86 1,868En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB017N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1,868En existencias	Cinta cortada S/ 23.86 S/ 12.57 S/ 11.48 S/ 10.51 Envase tipo carrete S/ 9.93 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 21.60 776En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB020N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	776En existencias	Cinta cortada S/ 21.60 S/ 11.21 S/ 10.20 S/ 8.99 Envase tipo carrete S/ 8.02 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.5 mOhms	20 V	2.2 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.98 28,445En existencias 25,000Se espera el 14/10/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ075N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	28,445En existencias 25,000Se espera el 14/10/2027	Cinta cortada S/ 10.98 S/ 5.41 S/ 4.87 S/ 3.93 Ver Envase tipo carrete S/ 3.47 S/ 3.78 S/ 3.76 S/ 3.47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	8.5 mOhms	20 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.95 14,501En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14,501En existencias	Cinta cortada S/ 8.95 S/ 4.36 S/ 3.89 S/ 3.10 Ver Envase tipo carrete S/ 2.72 S/ 3.00 S/ 2.72 S/ 2.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	1.25 mOhms	16 V	1.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.90 7,240En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC026N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7,240En existencias	Cinta cortada S/ 13.90 S/ 7.01 S/ 6.31 S/ 5.45 S/ 5.25 Envase tipo carrete S/ 5.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	74 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 5.18 456En existencias 30,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC026NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC026NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	456En existencias 30,000En pedido	Cinta cortada S/ 5.18 S/ 2.44 S/ 2.16 S/ 1.68 S/ 1.63 Envase tipo carrete S/ 1.63 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	82 A	4 mOhms	16 V	1.2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.65 9,866En existencias 55,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC030N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC030N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9,866En existencias 55,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC030N08NS5ATMA1 Existencias: 9,866 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25,000 Se espera el 28/01/2027 30,000 Se espera el 2/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 12.65 S/ 7.32 S/ 5.64 S/ 4.63 S/ 4.55 Envase tipo carrete S/ 4.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	4.5 mOhms	20 V	2.2 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.21 3,405En existencias 30,000Se espera el 10/12/2026	N.º de artículo del Fabricante BSC037N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC037N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,405En existencias 30,000Se espera el 10/12/2026	Cinta cortada S/ 11.21 S/ 5.37 S/ 4.83 S/ 3.86 Envase tipo carrete S/ 3.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.7 mOhms	20 V	3.8 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.94 13,737En existencias 5,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC040N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	13,737En existencias 5,000En pedido	Cinta cortada S/ 10.94 S/ 5.41 S/ 4.79 S/ 3.87 Ver Envase tipo carrete S/ 3.68 S/ 3.76 S/ 3.68 S/ 3.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	4 mOhms	20 V	2.2 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.34 11,908En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC052N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC052N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11,908En existencias	Cinta cortada S/ 9.34 S/ 4.55 S/ 4.09 S/ 3.25 S/ 3.20 Envase tipo carrete S/ 3.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	95 A	7.6 mOhms	20 V	2.2 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8 BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.11 10,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC061N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC061N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10,000En existencias	Cinta cortada S/ 9.11 S/ 5.80 S/ 3.89 S/ 3.16 S/ 3.02 Envase tipo carrete S/ 2.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	82 A	6.1 mOhms	20 V	2.2 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.24 19,875En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC117N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC117N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19,875En existencias	Cinta cortada S/ 7.24 S/ 3.46 S/ 3.09 S/ 2.44 S/ 2.39 Envase tipo carrete S/ 2.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	49 A	11.7 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.19 40,786En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC009NE2LS5IATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC009NE2LS5IATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	40,786En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC009NE2LS5IATMA1 Existencias: 0 En pedido: 30,786 Se espera el 17/12/2026 10,000 Se espera el 24/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 9.19 S/ 5.37 S/ 4.16 S/ 3.31 S/ 3.18 Envase tipo carrete S/ 2.71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5,000 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	950 uOhms	16 V	1.2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.02 30,137Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ110N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	30,137Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada S/ 8.02 S/ 3.83 S/ 3.42 S/ 2.71 Ver Envase tipo carrete S/ 2.07 S/ 2.54 S/ 2.43 S/ 2.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	11 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.95 5,000Se espera el 16/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ084N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ084N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,000Se espera el 16/11/2026	Cinta cortada S/ 8.95 S/ 4.36 S/ 3.85 S/ 3.06 Ver Envase tipo carrete S/ 2.41 S/ 2.98 S/ 2.87 S/ 2.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	11.9 mOhms	20 V	2.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

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