Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.52 3,866En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,866En existencias	Cinta cortada S/ 8.52 S/ 4.13 S/ 3.68 S/ 2.92 S/ 2.71 Envase tipo carrete S/ 2.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.43 5,526En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,526En existencias	Cinta cortada S/ 7.43 S/ 3.56 S/ 3.18 S/ 2.51 S/ 2.37 Envase tipo carrete S/ 2.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.55 12,487En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,487En existencias	Cinta cortada S/ 7.55 S/ 3.60 S/ 3.16 S/ 2.51 Envase tipo carrete S/ 2.04 Ver S/ 2.37 S/ 1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.43 4,916En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,916En existencias	Cinta cortada S/ 10.43 S/ 5.14 S/ 4.63 S/ 3.69 S/ 3.61 Envase tipo carrete S/ 3.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.12 109En existencias 2,000Se espera el 31/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA95R1K2P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R1K2P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	109En existencias 2,000Se espera el 31/12/2026	S/ 10.12 S/ 5.61 S/ 4.44 S/ 3.54 S/ 3.52	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.20 5En existencias 2,500Se espera el 18/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD95R450P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R450P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5En existencias 2,500Se espera el 18/02/2027	Cinta cortada S/ 13.20 S/ 7.47 S/ 5.76 S/ 4.75 S/ 4.55 Envase tipo carrete S/ 4.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.07 432En existencias 63,000Se espera el 7/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPN95R3K7P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R3K7P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	432En existencias 63,000Se espera el 7/01/2027	Cinta cortada S/ 6.07 S/ 3.35 S/ 2.48 S/ 1.94 S/ 1.78 Envase tipo carrete S/ 1.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	2 A	3.7 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 9.93 2,999Se espera el 5/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPU95R750P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU95R750P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,999Se espera el 5/11/2026	S/ 9.93 S/ 6.97 S/ 5.29 S/ 4.59 Ver S/ 3.42 S/ 3.41 S/ 3.35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.23 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPA95R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	S/ 13.23 S/ 6.62 S/ 5.99 S/ 4.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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