Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 116

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 13.12 4,600En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R360P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R360P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,600En existencias	Cinta cortada S/ 13.12 S/ 6.58 S/ 5.92 S/ 4.79 S/ 4.67 Envase tipo carrete S/ 4.40 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	13 A	310 mOhms	20 V	2.5 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.52 3,866En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,866En existencias	Cinta cortada S/ 8.52 S/ 4.13 S/ 3.68 S/ 2.92 S/ 2.71 Envase tipo carrete S/ 2.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.66 4,850En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,850En existencias	S/ 6.66 S/ 3.15 S/ 2.81 S/ 2.23 Ver S/ 1.78 S/ 1.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 5.41 9,128En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R2K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R2K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9,128En existencias	Cinta cortada S/ 5.41 S/ 2.54 S/ 2.26 S/ 1.76 Envase tipo carrete S/ 1.41 Ver S/ 1.72 S/ 1.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	2.5 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	22 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.45 4,448En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,448En existencias	Cinta cortada S/ 8.45 S/ 4.09 S/ 3.65 S/ 2.90 S/ 2.69 Envase tipo carrete S/ 2.41	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	51 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R900P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.82 7,426En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R900P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R900P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,426En existencias	Cinta cortada S/ 7.82 S/ 3.76 S/ 3.36 S/ 2.66 S/ 2.54 Envase tipo carrete S/ 2.18	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R099P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 20.79 1,132En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R099P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R099P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,132En existencias	Cinta cortada S/ 20.79 S/ 10.98 S/ 9.69 S/ 8.72 Envase tipo carrete S/ 7.71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	117 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.97 8,650En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	8,650En existencias	Cinta cortada S/ 6.97 S/ 3.31 S/ 2.95 S/ 2.33 Envase tipo carrete S/ 1.89 Ver S/ 2.16 S/ 1.85	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	20 V	2.5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 27.48 3,408En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,408En existencias	S/ 27.48 S/ 14.32 S/ 13.12 S/ 11.95	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPL60R065P7AUMA1 Infineon Technologies 1: S/ 31.41 3,413En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL60R065P7AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPL60R065P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,413En existencias	Cinta cortada S/ 31.41 S/ 17.05 S/ 15.65 S/ 15.22 S/ 14.36 Envase tipo carrete S/ 14.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	600 V	41 A	53 mOhms	20 V	3 V	67 nC	- 40 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.43 5,276En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,276En existencias	Cinta cortada S/ 7.43 S/ 3.56 S/ 3.18 S/ 2.51 S/ 2.37 Envase tipo carrete S/ 2.03 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R900P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.84 1,216En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R900P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R900P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,216En existencias	S/ 8.84 S/ 4.28 S/ 3.83 S/ 2.93 Ver S/ 2.67 S/ 2.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	770 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.82 1,649En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,649En existencias	S/ 7.82 S/ 3.75 S/ 3.36 S/ 2.75 Ver S/ 2.35 S/ 2.29 S/ 2.17	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	30 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPZA60R045P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 38.26 195En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZA60R045P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPZA60R045P7XKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	195En existencias	S/ 38.26 S/ 20.63 S/ 19.03 S/ 18.57	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	61 A	45 mOhms	20 V	3.5 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 5.61 2,877En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD80R1K4P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,877En existencias	Cinta cortada S/ 5.61 S/ 3.28 S/ 2.80 S/ 2.22 Envase tipo carrete S/ 1.77 Ver S/ 1.97 S/ 1.69	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	4 A	1.4 Ohms	30 V	3 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.72 1,431En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,431En existencias	S/ 11.72 S/ 5.80 S/ 4.59 S/ 3.88 Ver S/ 3.85 S/ 3.78	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	30 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R600P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.35 1,318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA80R600P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,318En existencias	S/ 10.35 S/ 5.10 S/ 4.55 S/ 3.57 Ver S/ 3.31 S/ 3.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	8 A	510 mOhms	20 V	2.5 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 3.85 4,563En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN70R1K4P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,563En existencias	Cinta cortada S/ 3.85 S/ 1.76 S/ 1.56 S/ 1.22 Envase tipo carrete S/ 0.954 Ver S/ 0.903 S/ 0.817 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	6.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.90 1,411En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPU80R900P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU80R900P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,411En existencias	S/ 7.90 S/ 3.54 S/ 3.18 S/ 2.66 Ver S/ 2.47 S/ 2.26	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	45 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.66 2,007En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R2K0P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2,007En existencias	Cinta cortada S/ 6.66 S/ 3.15 S/ 2.81 S/ 2.20 Envase tipo carrete S/ 1.81 Ver S/ 2.11 S/ 1.69 S/ 1.63 S/ 1.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.54 2,815En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante IPN80R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN80R1K2P7ATMA1 Fin de vida útil	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW	Hoja de datos	2,815En existencias	Cinta cortada S/ 6.54 S/ 3.09 S/ 2.76 S/ 2.17 Envase tipo carrete S/ 1.80 Ver S/ 1.97 S/ 1.73 S/ 1.69	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	800 V	4.5 A	1 Ohms	30 V	3 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	6.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.38 56,328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	56,328En existencias	S/ 6.38 S/ 3.01 S/ 2.68 S/ 2.20 Ver S/ 1.68 S/ 1.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	600 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB60R045P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 32.58 4,688En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB60R045P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB60R045P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,688En existencias	Cinta cortada S/ 32.58 S/ 21.80 S/ 14.95 S/ 14.75 Envase tipo carrete S/ 14.48 Ver S/ 14.17 Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	120 V	61 A	45 mOhms	20 V	1.7 V	90 nC	- 55 C	+ 150 C	201 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R080P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 22.58 23,852En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP60R080P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R080P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	23,852En existencias	S/ 22.58 S/ 11.83 S/ 10.78 S/ 9.19	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	37 A	69 mOhms	20 V	3 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	129 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 41.77 12,646En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW60R037P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPW60R037P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,646En existencias	S/ 41.77 S/ 22.69 S/ 20.98 S/ 20.82	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	76 A	30 mOhms	20 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube