Low Power MOSFETs

ROHM Low Power MOSFETs feature a small VML100 package size and an extremely low dimensional tolerance. This makes these ROHM MOSFETs ideal for high-density applications such as smartphones and other portable devices.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.2V Drive Nch MOSFET 36,769En existencias
32,000Se espera el 26/01/2027
Cinta cortada
S/1.67
S/0.74
S/0.646
S/0.479
Envase tipo carrete
S/0.269
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 20 V 180 mA 2 Ohms 8 V 1 V - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl -20V Vdss -/+1.4A Id RASMID 8,247En existencias
Cinta cortada
S/2.34
S/1.05
S/0.919
S/0.693
Envase tipo carrete
S/0.401
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Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-1006-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 300 mOhms 8 V 1 V - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 2ohm Rds on Id +/-150mA N-Ch 8,150En existencias
24,000Se espera el 30/12/2026
Cinta cortada
S/2.57
S/1.16
S/1.02
S/0.771
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Envase tipo carrete
S/0.459
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000
Si SMD/SMT DFN-0604-3 N-Channel 1 Channel 20 V 150 mA 2 Ohms 10 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel