750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs feature higher breakdown voltage, offering increased design margin to support customer applications. These MOSFETs enable high system power density with a low-profile design in the TO-247-4 LP package and surface mount technology in the TO-263-7 XL package options. This enables designers to select the right part for their application. The Wolfspeed 750V MOSFETs facilitate efficient power conversion in diverse power systems. These systems include high-performance industrial power supplies, energy storage systems in Electrical Vehicle (EV) converters, and EV HVAC motor drives.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
1,084En existencias
Cinta cortada
S/90.15
S/59.56
S/55.62
Envase tipo carrete
S/55.62
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 15m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
431En existencias
S/90.15
S/59.94
S/55.62
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
406En existencias
S/41.65
S/22.62
S/20.82
S/20.47
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
335En existencias
S/34.64
S/20.16
S/18.57
S/17.87
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
644En existencias
Cinta cortada
S/82.68
S/53.33
S/49.79
Envase tipo carrete
S/49.79
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
123En existencias
S/82.68
S/49.79
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
674En existencias
Cinta cortada
S/46.48
S/26.08
S/25.34
S/24.83
Envase tipo carrete
S/23.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 45m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Hoja de datos
247En existencias
S/43.79
S/25.53
S/23.67
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
519En existencias
Cinta cortada
S/39.47
S/21.80
S/20.44
S/19.07
Envase tipo carrete
S/19.07
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 60m, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Hoja de datos
327En existencias
S/37.41
S/21.33
S/19.66
S/19.07
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 25m, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
160En existencias
S/52.94
S/42.70
S/37.17
S/34.22
S/30.52
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement