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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

IXFX94N50P2
IXYS
1: S/107.74
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX94N50P2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX94N50P2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET

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766En existencias

S/107.74

S/70.73

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IGBTs TO247 2500V 2A IGBT

IXGH2N250
IXYS
1: S/109.96
274En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH2N250

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747-IXGH2N250

IXYS

IGBTs TO247 2500V 2A IGBT

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S/109.96

S/73.45

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IGBTs 32 Amps 1200V

IXGH32N120A3
IXYS
1: S/53.79
295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH32N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH32N120A3

IXYS

IGBTs 32 Amps 1200V

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295En existencias

S/53.79

S/32.58

S/29.39

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IGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds

IXGH32N170
IXYS
1: S/94.78
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH32N170

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH32N170

IXYS

IGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds

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166En existencias

S/94.78

S/70.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET

IXTA32P20T
IXYS
1: S/46.20
1,854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA32P20T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA32P20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET

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S/46.20

S/26.00

S/23.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

IXTH02N250
IXYS
1: S/87.23
461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH02N250

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH02N250

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A

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S/87.23

S/54.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 2500V 40 Rds

IXTH1N250
IXYS
1: S/192.29
142En existencias

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IXTH1N250

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747-IXTH1N250

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 2500V 40 Rds

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142En existencias

S/192.29

S/145.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds

IXTH24N50L
IXYS
1: S/170.26
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH24N50L

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747-IXTH24N50L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds

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S/170.26

S/129.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

IXTH500N04T2
IXYS
1: S/77.23
190En existencias

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IXTH500N04T2

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747-IXTH500N04T2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

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S/77.23

S/57.69

S/44.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET

IXTH60N20X4
IXYS
1: S/60.57
354En existencias

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IXTH60N20X4

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747-IXTH60N20X4

IXYS

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S/60.57

S/34.22

S/33.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: S/62.24
248En existencias

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IXTJ4N150

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747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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S/62.24

S/35.27

S/35.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -32 Amps -600V 0.350 Rds

IXTK32P60P
IXYS
1: S/90.50
758En existencias

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IXTK32P60P

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747-IXTK32P60P

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758En existencias

S/90.50

S/68.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

IXTP48N20T
IXYS
1: S/23.59
681En existencias

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IXTP48N20T

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747-IXTP48N20T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds

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S/23.59

S/12.42

S/10.59

S/9.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS

IXTP94N20X4
IXYS
1: S/65.82
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP94N20X4

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747-IXTP94N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS

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S/65.82

S/38.26

S/38.22

S/37.68

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

IXTQ22N50P
IXYS
1: S/31.26
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ22N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ22N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds

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S/31.26

S/16.93

S/15.57

S/14.87

S/14.71

Min.: 1
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IGBTs TO247 2500V 16A IGBT

IXYH16N250CV1HV
IXYS
1: S/147.95
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH16N250CV1HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH16N250CV1HV

IXYS

IGBTs TO247 2500V 16A IGBT

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272En existencias

S/147.95

S/106.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247

IXYH50N65C3H1
IXYS
1: S/59.63
323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYH50N65C3H1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH50N65C3H1

IXYS

IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247

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323En existencias

S/59.63

S/36.43

S/33.59

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

IXYN30N170CV1
IXYS
1: S/219.65
434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYN30N170CV1

N.º de artículo de Mouser
747-IXYN30N170CV1

IXYS

Módulos IGBT 1700V/85A High Voltage XPT IGBT

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434En existencias

S/219.65

S/176.72

Min.: 1
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Fusibles de montaje en superficie 5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

0438005.WRA
Littelfuse
1: S/6.66
426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
0438005.WRA

N.º de artículo de Mouser
576-0438005.WRA

Littelfuse

Fusibles de montaje en superficie 5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

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Cinta cortada

S/6.66

S/5.88

S/5.61

S/4.52

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Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

LSIC1MO120E0160
IXYS
1: S/48.62
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LSIC1MO120E0160

N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120E0160

IXYS

MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet

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548En existencias

S/48.62

S/41.30

S/34.22

S/32.15

S/31.84

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

IXFH34N65X2
IXYS
1: S/43.56
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH34N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH34N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2

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S/43.56

S/23.78

S/22.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

IXFK180N25T
IXYS
1: S/79.48
279En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK180N25T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK180N25T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180A 250V

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S/79.48

S/59.91

S/59.32

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

IXFK250N10P
IXYS
1: S/121.76
88En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK250N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK250N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET

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88En existencias

S/121.76

S/86.53

S/78.55

Min.: 1
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Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

IXFN56N90P
IXYS
1: S/278.27
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN56N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN56N90P

IXYS

Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

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243En existencias

S/278.27

S/229.42

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFT36N50P
IXYS
1: S/59.01
1,448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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1,448En existencias

S/59.01

S/33.24

S/32.74

Min.: 1
Mult.: 1

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