.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

IGBTs TO264 1200V 110A GENX4

IXYK110N120A4
IXYS
1: S/126.47
84En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXYK110N120A4

N.º de artículo de Mouser
747-IXYK110N120A4

IXYS

IGBTs TO264 1200V 110A GENX4

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84En existencias

S/126.47

S/99.65

S/86.37

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263

IXYA50N65C5
IXYS
1: S/32.39
58En existencias
300Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXYA50N65C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYA50N65C5

IXYS

IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263

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58En existencias

300Se espera el 18/01/2027

S/32.39

S/20.63

S/15.73

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

IXFN52N100X
IXYS
1: S/263.02
133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN52N100X

IXYS

Módulos MOSFET 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET

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133En existencias

S/263.02

S/218.80

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds

IXTK102N30P
IXYS
1: S/81.35
320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds

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320En existencias

S/81.35

S/55.62

S/51.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V

IXTK8N150L
IXYS
1: S/206.07
270En existencias
300Se espera el 15/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTK8N150L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK8N150L

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8 Amps 1500V

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270En existencias

300Se espera el 15/02/2027

S/206.07

S/166.02

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

IXTN550N055T2
IXYS
1: S/214.71
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTN550N055T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTN550N055T2

IXYS

Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

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211En existencias

S/214.71

S/173.45

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263

IXYA55N65B5
IXYS
1: S/32.39
77En existencias
300Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXYA55N65B5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYA55N65B5

IXYS

IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263

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300Se espera el 18/01/2027

S/32.39

S/20.63

S/15.73

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: S/117.71
76En existencias
300Se espera el 13/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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76En existencias

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S/117.71

S/84.51

S/76.33

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds

IXTP1N120P
IXYS
1: S/27.05
1,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds

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1,009En existencias

S/27.05

S/18.10

S/14.52

S/12.88

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: S/162.98
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

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94En existencias

S/162.98

S/128.80

S/114.28

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT

IXTF1R4N450
IXYS
1: S/441.18
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTF1R4N450

N.º de artículo de Mouser
747-IXTF1R4N450

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT

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165En existencias

S/441.18

S/357.25

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET 62 Amps 500V

IXTN62N50L
IXYS
1: S/369.79
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTN62N50L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTN62N50L

IXYS

Módulos MOSFET 62 Amps 500V

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25En existencias

S/369.79

S/297.82

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

IXYH100N65C5
IXYS
1: S/62.16
70En existencias
300Se espera el 18/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXYH100N65C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXYH100N65C5

IXYS

IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD

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70En existencias

300Se espera el 18/01/2027

S/62.16

S/43.44

S/33.32

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

IXTA12N50P
IXYS
1: S/9.50
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA12N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA12N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

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982En existencias

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

IXTT10N100D2
IXYS
1: S/106.03
786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTT10N100D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT10N100D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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786En existencias

S/106.03

S/84.90

S/73.37

S/69.48

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Fusibles de montaje en superficie 2.5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

043802.5WRA
Littelfuse
1: S/6.66
4,578En existencias

N.º de artículo del Fabricante
043802.5WRA

N.º de artículo de Mouser
576-043802.5WRA

Littelfuse

Fusibles de montaje en superficie 2.5A 32V FAST ACTING FUSE AEC-Q200

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4,578En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/5.88

S/5.61

S/4.52

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Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT

IXBX25N250
IXYS
1: S/228.57
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBX25N250

N.º de artículo de Mouser
747-IXBX25N250

IXYS

IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT

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Hoja de datos

199En existencias

S/228.57

S/182.52

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS

IXFH120N25X3
IXYS
1: S/69.44
906En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS

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906En existencias

S/69.44

S/42.97

S/40.40

Min.: 1
Mult.: 1

Módulos MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds

IXFN44N100P
IXYS
1: S/196.73
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN44N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN44N100P

IXYS

Módulos MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds

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213En existencias

S/196.73

S/153.60

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFT24N90P
IXYS
1: S/83.92
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT24N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT24N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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318En existencias

S/83.92

S/52.78

S/51.50

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

IXTA2R4N120P
IXYS
1: S/36.82
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA2R4N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA2R4N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds

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793En existencias

S/36.82

S/20.67

S/19.00

S/18.18

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

IXTA3N50D2
IXYS
1: S/28.14
3,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N50D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N50D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

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3,648En existencias

S/28.14

S/15.45

S/13.16

S/12.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

IXTA60N20X4
IXYS
1: S/55.08
502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA60N20X4

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA60N20X4

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET

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502En existencias

S/55.08

S/31.45

S/29.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

IXTA6N100D2HV
IXYS
1: S/79.25
679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA6N100D2HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA6N100D2HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL

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679En existencias

S/79.25

S/59.20

S/45.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds

IXTP28P065T
IXYS
1: S/20.98
1,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP28P065T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP28P065T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds

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1,083En existencias

S/20.98

S/11.29

S/9.89

S/8.72

Min.: 1
Mult.: 1

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