Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/17.94
2,358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,358En existencias

Cinta cortada

S/17.94

S/9.23

S/8.37

S/7.16

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

10 V

3 V

17.8 nC

- 55 C

+ 150 C

92 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N240K6
STMicroelectronics
1: S/23.16
2,328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,328En existencias

Cinta cortada

S/23.16

S/12.14

S/11.09

S/10.08

S/9.38

Envase tipo carrete

S/9.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 Ohms

30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

105 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
1: S/17.20
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

790En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/8.80

S/7.98

S/6.77

Envase tipo carrete

S/6.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/10.00
997En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

997En existencias

S/10.00

S/4.90

S/4.36

S/3.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.1 Ohms

30 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/29.27
1,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,008En existencias

S/29.27

S/16.74

S/14.09

S/12.53

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

220 mOhms

30 V

3.5 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/9.93
1,055En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N1K1K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,055En existencias

S/9.93

S/4.87

S/4.36

S/3.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N450K6
STMicroelectronics
1: S/19.07
169En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

169En existencias

S/19.07

S/9.89

S/8.95

S/7.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.04
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N600K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

698En existencias

S/13.04

S/7.67

S/5.88

S/4.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: S/14.17
37En existencias
2,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N600K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

37En existencias

2,000En pedido

S/14.17

S/7.12

S/6.66

S/5.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N240K6
STMicroelectronics
1: S/27.68
58En existencias
1,000Se espera el 14/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N240K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

58En existencias

1,000Se espera el 14/05/2027

S/27.68

S/15.96

S/12.14

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

220 mOhms

30 V

4 V

25.9 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N340K6
STMicroelectronics
1,000: S/7.90
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/7.90

S/7.63

S/7.28

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

12 A

340 mOhms

30 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP80N900K6
STMicroelectronics
1,000: S/3.55
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP80N900K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N900K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/3.55

S/3.51

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

800 V

6 A

900 mOhms

30 V

3.5 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

Tube

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte