Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 3

Filtros aplicados:

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET SQJ188ELR-T1_GE3 Vishay 1: S/8.17 2,900Se espera el 12/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ188ELR-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ188ELR-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	2,900Se espera el 12/04/2027	Cinta cortada S/8.17 S/5.10 S/3.37 S/2.68 S/2.38 Envase tipo carrete S/2.17 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	80 V	47 A	15.5 mOhms	20 V	2.3 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	86 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET SQJ510ER-T1_GE3 Vishay 1: S/15.18 3,000Se espera el 5/08/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ510ER-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ510ER-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	3,000Se espera el 5/08/2027	Cinta cortada S/15.18 S/9.93 S/7.20 S/6.03 S/5.61 Envase tipo carrete S/5.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	100 V	200 A	3.7 mOhms	20 V	4 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET SQJ570ER-T1_GE3 Vishay 1: S/14.52 2,950Se espera el 5/08/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante SQJ570ER-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJ570ER-T1_GE3 Nuevo producto	Vishay	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay sqmosfets	Hoja de datos	2,950Se espera el 5/08/2027	Cinta cortada S/14.52 S/9.46 S/6.62 S/5.53 S/5.14 Envase tipo carrete S/4.79 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-10LR	N-Channel	1 Channel	150 V	126 A	7.8 mOhms	20 V	3.7 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	319 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

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