Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 13

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB45N50DM2AG
STMicroelectronics
1: S/25.92
1,409En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N50DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N50DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

1,409En existencias

Cinta cortada

S/25.92

S/16.93

S/15.53

S/14.79

Envase tipo carrete

S/14.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

35 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/31.18
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

428En existencias

S/31.18

S/19.19

S/16.43

S/13.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW50N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/30.56
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW50N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

640En existencias

S/30.56

S/16.08

S/14.79

S/13.66

S/12.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

87 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/43.60
395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

395En existencias

S/43.60

S/27.33

S/24.17

S/19.46

S/19.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB37N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.07
1,868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB37N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB37N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

1,868En existencias

Cinta cortada

S/32.07

S/17.36

S/15.96

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.46
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

932En existencias

Cinta cortada

S/32.46

S/17.59

S/16.15

Envase tipo carrete

S/14.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

38 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/51.38
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

354En existencias

S/51.38

S/38.30

S/31.92

S/28.42

S/26.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STW65N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/44.96
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

383En existencias

S/44.96

S/28.88

S/26.51

S/22.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

50 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STW72N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/35.62
507En existencias
600Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW72N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW72N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

507En existencias

600Se espera el 29/01/2027

S/35.62

S/19.07

S/17.59

S/16.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

66 A

42 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

121 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/31.68
66En existencias
1,000Se espera el 19/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STB45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

66En existencias

1,000Se espera el 19/02/2027

Cinta cortada

S/31.68

S/18.06

S/16.58

S/16.04

Envase tipo carrete

S/14.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

93 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.89
9,995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

9,995En pedido

S/32.89

S/18.29

S/16.78

S/14.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

38 A

72 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/26.70
Plazo de entrega 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 24 Semanas

S/26.70

S/14.21

S/13.00

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW50N65DM6
STMicroelectronics
600: S/17.44
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW50N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/17.44

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

91 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.5 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte