GaN FETs – Mouser Perú

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FET de GaN GaNEXUS™

onsemi GaNEXUS™ Gallium Nitride Field-Effect Transistors (GaN FETs) use wide-bandgap material properties of GaN to deliver fast switching, low gate and output charge, and enhanced efficiency compared to silicon power transistors. These features enable higher operating frequencies, increased power density, and reduced magnetics in power conversion applications across low-, medium-, high-, and ultra-high voltages. The enhancement-mode discrete GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) offer a voltage range from 40V to 650V, including 650V GaNEXUS Smart GaN FETs with integrated protections to improve reliability and simplify system integration. Ideal applications for the onsemi GaNEXUS family include industrial automation, robotics, AI data centers, automotive electrification, and energy infrastructure.

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Resultados: 21

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Frecuencia de trabajo máxima	Tecnología
GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK NTD100N70GN1TXG onsemi 1: S/ 12.69 1,952En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTD100N70GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTD100N70GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,952En existencias	Cinta cortada S/ 12.69 S/ 8.25 Envase tipo carrete S/ 8.25	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 2,500	SMD/SMT	DPAK-3	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	105 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK NTD170N70GN1TXG onsemi 1: S/ 9.42 2,488En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTD170N70GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTD170N70GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,488En existencias	Cinta cortada S/ 9.42 S/ 6.03 Envase tipo carrete S/ 6.03	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-E3	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	64 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT100N70GN1TXG onsemi 1: S/ 13.74 1,954En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMT100N70GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTMT100N70GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,954En existencias	Cinta cortada S/ 13.74 S/ 8.95 Envase tipo carrete S/ 8.95	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	111 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT130N70GN1TXG onsemi 1: S/ 12.53 2,472En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMT130N70GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTMT130N70GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,472En existencias	Cinta cortada S/ 12.53 S/ 8.14 Envase tipo carrete S/ 8.14	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	130 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.65 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 NTMT170N70GN1TXG onsemi 1: S/ 11.05 2,500En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMT170N70GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTMT170N70GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,500En existencias	Cinta cortada S/ 11.05 S/ 7.12 Envase tipo carrete S/ 7.12	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 25 : 2,500	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL NTLCC5D0N10GN1TWG onsemi 1: S/ 18.02 1,750En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTLCC5D0N10GN1TWG N.º de artículo de Mouser 863-TLCC5D0N10GN1TWG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,750En existencias	Cinta cortada S/ 18.02 S/ 11.79 S/ 8.80 Envase tipo carrete S/ 8.80	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 250 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	146 A	3.8 mOhms	- 4 V to 6 V		5.2 nC	- 40 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLL NTBL035N65GN1TXG onsemi 1: S/ 59.01 2,400Se espera el 3/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTBL035N65GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBL035N65GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,400Se espera el 3/11/2026	Cinta cortada S/ 59.01 S/ 34.80 Envase tipo carrete S/ 34.80	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 120 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	367 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLT NTBT035N65GN1TXG onsemi 1: S/ 59.01 2,400Se espera el 9/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTBT035N65GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBT035N65GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 650V 35MR LGAN TOLT Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,400Se espera el 9/11/2026	Cinta cortada S/ 59.01 S/ 34.80 Envase tipo carrete S/ 34.80	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 120 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	462 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL ENGNCP58935ABLTXG onsemi 1: S/ 77.93 1,200En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNCP58935ABLTXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNCP58935ABLTX Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,200En pedido	Cinta cortada S/ 77.93 S/ 58.19 S/ 50.33 S/ 47.64 S/ 44.49 Envase tipo carrete S/ 44.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,400	SMD/SMT	PDSO-F9	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	25 mOhms	10 V to 24 V				+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT ENGNCP58935ABTTXG onsemi 1: S/ 77.93 1,200En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNCP58935ABTTXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNCP58935ABTTX Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,200En pedido	Cinta cortada S/ 77.93 S/ 58.19 S/ 50.33 S/ 47.64 S/ 44.49 Envase tipo carrete S/ 44.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,400	SMD/SMT	PDSO-G16	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	25 mOhms	10 V to 24 V				+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF0D7N04GN1TXG onsemi 1: S/ 31.06 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF0D7N04GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF0D7N04GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 31.06 S/ 21.88 S/ 17.71 S/ 15.73 S/ 13.94 Envase tipo carrete S/ 13.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	40 V	819 A	0.7 mOhms	- 4 V to 6 V	1.2 V	52 nC	- 40 C	+ 150 C	962 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF1D0N10GN1TXG onsemi 1: S/ 35.62 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF1D0N10GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF1D0N10GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 35.62 S/ 24.33 S/ 20.09 S/ 17.87 S/ 16.70 Envase tipo carrete S/ 16.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V		1 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF1D5N10GN1TXG onsemi 1: S/ 31.06 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF1D5N10GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF1D5N10GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 31.06 S/ 21.88 S/ 17.71 S/ 15.73 S/ 13.94 Envase tipo carrete S/ 13.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V	474 A	1.5 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	19 nC	- 55 C	+ 150 C	658 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF2D2N15GN1TXG onsemi 1: S/ 39.74 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF2D2N15GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF2D2N15GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 39.74 S/ 28.10 S/ 23.39 S/ 20.86 S/ 19.46 Envase tipo carrete S/ 19.46	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	150 V		2.2 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF2D5N10GN1TXG onsemi 1: S/ 26.31 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF2D5N10GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF2D5N10GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 26.31 S/ 17.63 S/ 14.17 S/ 12.61 S/ 11.13 Envase tipo carrete S/ 11.13	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	100 V	275 A	2.5 mOhms	- 4 V to 6 V	1.2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	378 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool ENGNTLEF3D6N20GN1TXG onsemi 1: S/ 39.74 1,250En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ENGNTLEF3D6N20GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-ENGNTLEF3D6N20GN Nuevo producto	onsemi	GaN FETs ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,250En pedido	Cinta cortada S/ 39.74 S/ 28.10 S/ 23.39 S/ 20.86 S/ 19.46 Envase tipo carrete S/ 19.46	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	SMD/SMT	PDSO-N8	N-Channel	1 Channel	200 V		3.6 mOhms	- 4 V to 6 V	1.1 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL NCP58933ABLTXG onsemi 1: S/ 45.97 1,200Se espera el 4/12/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NCP58933ABLTXG N.º de artículo de Mouser 863-NCP58933ABLTXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,200Se espera el 4/12/2026	Cinta cortada S/ 45.97 S/ 33.24 S/ 27.71 S/ 24.68 Envase tipo carrete S/ 20.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	N-Channel	1 Channel	650 V	54 A	55 mOhms	22 V				+ 150 C	271 W	Enhancement	GaNEXUS	2 MHz	GaN
GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT NCP58933ABTTXG onsemi 1: S/ 45.97 1,200Se espera el 23/03/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NCP58933ABTTXG N.º de artículo de Mouser 863-NCP58933ABTTXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	1,200Se espera el 23/03/2027	Cinta cortada S/ 45.97 S/ 33.24 S/ 27.71 S/ 24.68 Envase tipo carrete S/ 20.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	N-Channel	1 Channel	650 V	54 A	55 mOhms	22 V				+ 150 C	338 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLL NTBL050N65GN1TXG onsemi 1: S/ 44.37 2,400Se espera el 3/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTBL050N65GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBL050N65GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,400Se espera el 3/11/2026	Cinta cortada S/ 44.37 S/ 32.11 S/ 26.74 Envase tipo carrete S/ 26.74	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 120 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLT NTBT050N65GN1TXG onsemi 1: S/ 42.51 2,400Se espera el 2/11/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTBT050N65GN1TXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBT050N65GN1TXG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 650V 50MR LGAN TOLT Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,400Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada S/ 42.51 S/ 27.71 S/ 24.21 Envase tipo carrete S/ 24.21	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 120 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.9 nC	- 55 C	+ 150 C	312 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN
GaN FETs 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL NTLCC3D5N10GN1TWG onsemi 1: S/ 24.17 2,500Se espera el 22/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTLCC3D5N10GN1TWG N.º de artículo de Mouser 863-TLCC3D5N10GN1TWG Nuevo producto	onsemi	GaN FETs 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL Obtenga más información sobre onsemi ganexus fets	Hoja de datos	2,500Se espera el 22/10/2026	Cinta cortada S/ 24.17 S/ 15.84 S/ 11.64 Envase tipo carrete S/ 11.64	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 250 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	183 A	2.7 mOhms	- 4 V to 6 V	2.1 V	7.3 nC	- 40 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	GaNEXUS		GaN

FET de GaN GaNEXUS™

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