40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs offer low ON-resistance and low total gate charge. This low ON-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Available packages include TO-220, TO-252, as well as a space-saving, small-outline PowerPAK® option. Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs are 100% Rg and UIS tested, halogen free, and RoHS compliant.

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L 34,561En existencias
Cinta cortada
S/ 10.90
S/ 5.37
S/ 4.83
S/ 3.87
S/ 3.73
Envase tipo carrete
S/ 3.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 1.35 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 182 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L 5,860En existencias
Cinta cortada
S/ 10.04
S/ 6.38
S/ 4.32
S/ 3.04
Envase tipo carrete
S/ 2.77
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.7 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 150 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 3,769En existencias
Cinta cortada
S/ 10.59
S/ 6.81
S/ 4.63
S/ 3.97
Envase tipo carrete
S/ 3.36
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.7 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 150 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 16,081En existencias
Cinta cortada
S/ 8.76
S/ 4.67
S/ 4.01
S/ 3.34
S/ 3.16
Envase tipo carrete
S/ 2.84
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms 20 V 4 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 5,873En existencias
Cinta cortada
S/ 12.73
S/ 6.34
S/ 5.37
S/ 4.48
S/ 4.32
Envase tipo carrete
S/ 4.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 880 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 204 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 4,363En existencias
Cinta cortada
S/ 9.58
S/ 4.67
S/ 4.20
S/ 3.35
S/ 3.25
Envase tipo carrete
S/ 2.88
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 109 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 75 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 2,808En existencias
S/ 11.72
S/ 5.80
S/ 5.22
S/ 4.32
S/ 4.20
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L 2,339En existencias
Cinta cortada
S/ 7.82
S/ 3.75
S/ 3.36
S/ 2.66
S/ 2.59
Envase tipo carrete
S/ 2.18
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.35 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 104 nC - 55 C + 150 C 36.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 150En existencias
14,400Se espera el 2/08/2027
Cinta cortada
S/ 11.87
S/ 6.89
S/ 5.29
S/ 3.79
Envase tipo carrete
S/ 3.79
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 5.6 mOhms 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 916En existencias
800Se espera el 2/11/2026
Cinta cortada
S/ 9.93
S/ 4.87
S/ 4.36
S/ 3.30
Envase tipo carrete
S/ 2.99
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 497En existencias
S/ 16.85
S/ 8.60
S/ 7.82
S/ 6.38
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 7.4 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
8,989En pedido
Cinta cortada
S/ 7.24
S/ 3.45
S/ 3.08
S/ 2.43
S/ 2.35
Envase tipo carrete
S/ 1.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.65 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 75 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK No en existencias
S/ 3.13
S/ 2.98
S/ 2.91
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube