Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
TB9051FTG,EL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100
TB9057FG
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10
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TB9061AFNG,EL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode SNG Bi-directional
DF2B29FU,H3F
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF2B36FU,H3F
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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TC32306FTG,EL
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Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
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Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
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Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
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757-2SD1223TE16L1NQ
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Suppressors / TVS Diodes SNG Bi-directional. Automotive; AEC-Q101 option available
DF2B18FU,H3F
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36,000 Se espera el 2/11/2026
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36,000 Se espera el 2/11/2026
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D29FU,LF
Toshiba
1:
S/ 2.45
2,071 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
757-DF3D29FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF3D36FU,LF
Toshiba
1:
S/ 2.14
5,816 En existencias
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757-DF3D36FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
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S/ 1.99
6,711 En existencias
129,000 Se espera el 25/12/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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129,000 Se espera el 25/12/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
SSM3J377R,LF
Toshiba
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S/ 1.60
10,349 En existencias
3,000 Se espera el 30/10/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
Comentarios de Producto
10,349 En existencias
3,000 Se espera el 30/10/2026
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