Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.29
11,144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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11,144En existencias

Cinta cortada

S/18.29

S/9.65

S/8.68

S/7.55

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Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQE013N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.40
117En existencias
36,000Se espera el 8/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE013N04LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE013N04LM6CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

117En existencias

36,000Se espera el 8/07/2027

Cinta cortada

S/14.40

S/8.45

S/6.58

S/5.37

Ver

Envase tipo carrete

S/4.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

31 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
8,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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8,822En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/3.05

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUA250N04S6N007AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.97
1,432En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N04S6N007AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N04S6N007

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,432En existencias

Cinta cortada

S/19.97

S/13.12

S/9.77

S/8.17

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5

N-Channel

1 Channel

40 V

250 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC45N04S6L063HATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.40
8,652En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC45N04S6L063HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC45N04S6L063H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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8,652En existencias

Cinta cortada

S/7.40

S/4.36

S/3.02

S/2.57

Ver

Envase tipo carrete

S/2.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

59 A

6.3 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.26
8,434En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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8,434En existencias

Cinta cortada

S/18.26

S/9.38

S/8.52

S/7.32

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

97 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.30
63En existencias
6,000Se espera el 4/02/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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63En existencias

6,000Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/15.30

S/9.11

S/7.05

S/5.84

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N050HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.49
1,572En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N050HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N050H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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1,572En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/4.79

S/3.45

S/2.92

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Envase tipo carrete

S/2.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

74 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.05
889En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

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Cinta cortada

S/27.05

S/17.75

S/13.08

S/11.60

Envase tipo carrete

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

IPF011N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF011N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF011N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin

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Cinta cortada

S/28.22

S/15.10

S/13.82

S/13.12

Envase tipo carrete

S/10.86

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.63
858En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

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Cinta cortada

S/39.63

S/21.88

S/20.55

S/19.42

Envase tipo carrete

S/19.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE020N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.39
3,936En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE020N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

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Cinta cortada

S/10.39

S/5.10

S/4.59

S/3.67

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Envase tipo carrete

S/3.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE020N04LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
4,130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE020N04LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE020N04LM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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4,130En existencias

Cinta cortada

S/11.37

S/5.64

S/5.06

S/4.09

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Envase tipo carrete

S/3.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

166 A

2.05 mOhms

20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.52
3,648En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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3,648En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/7.32

S/6.54

S/5.41

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Envase tipo carrete

S/5.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

IQE031N08LM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
1,250En existencias
12,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE031N08LM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE031N08LM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V

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1,250En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/13.39

S/8.87

S/6.81

S/6.07

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Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

PG-WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

80 V

127 A

3.15 mOhms

20 V

2.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.49
6,352En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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6,352En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/7.86

S/7.12

S/5.88

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.38
7,707En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

7,707En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.02

S/5.57

S/4.52

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Envase tipo carrete

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ025N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.69
3,896En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ025N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ025N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

3,896En existencias

Cinta cortada

S/9.69

S/4.75

S/4.24

S/3.39

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Envase tipo carrete

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.85
500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N08NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP014N08NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

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500En existencias

S/25.85

S/17.36

S/12.53

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
783En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Hoja de datos

783En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/7.47

S/6.66

S/5.49

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Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.99
216En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Hoja de datos

216En existencias

Cinta cortada

S/14.99

S/8.64

S/6.81

S/5.57

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Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC060N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
3,786En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

3,786En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/2.71

S/2.41

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

62 A

6 mOhms

20 V

3.3 V

12.4 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.62
7,177En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Cinta cortada

S/29.62

S/21.21

S/18.49

S/18.37

Envase tipo carrete

S/18.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
1: S/43.36
4,054En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

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Cinta cortada

S/43.36

S/24.17

S/23.12

S/21.88

Envase tipo carrete

S/21.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP038N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.16
1,728En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPP038N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP038N15NM6AKSA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

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1,728En existencias

S/23.16

S/12.18

S/11.09

S/10.59

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

178 A

3.6 mOhms

20 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3
D2PAK-7
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-5
HSOF-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8
PG-TO220-3
PG-TO263-3
PG-TO263-7
PG-TSDSON-8
PG-TTFN-9
PG-WHTFN-9
SON-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
61 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A

360 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.05 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
12.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
50 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
107 W
125 W
136 W
150 W
158 W